[发明专利]集成多相耦合电感的耦合电感器及电压转换电路有效

专利信息
申请号: 202110715168.0 申请日: 2021-06-26
公开(公告)号: CN113436859B 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: 王文博 申请(专利权)人: 北京泰力控科技有限公司
主分类号: H01F27/30 分类号: H01F27/30
代理公司: 北京维正专利代理有限公司 11508 代理人: 刘美莲
地址: 101300 北京市顺*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 集成 多相 耦合 电感 电感器 电压 转换 电路
【权利要求书】:

1.一种集成多相耦合电感的耦合电感器,包括磁芯(100)以及具有至少一个绕匝(210)的绕组(200),其特征在于:所述磁芯(100)包括基座(110)和平板(120),所述基座(110)的一端部均设有侧柱(111),所述基座(110)朝向所述平板(120)的一面设有多个中柱(112),多个所述中柱(112)呈规则形状阵列分布,所述侧柱(111)与所述中柱(112)均朝向所述平板(120)延伸;

多个所述中柱(112)上均绕制有所述绕组(200),各所述绕组(200)的绕制方向相同,各所述绕组(200)的绕制轴向相互平行且均朝向所述平板(120),所述侧柱(111)与距其最近的所述中柱(112)上所述绕组(200)形成磁通回路(300),处于所述磁通回路(300)上的所述绕组(200)形成自感;

距离最近的两所述绕组(200)之间,在所述绕制轴向的方向上,一所述绕组(200)的绕匝(210)所处位置偏离于另一所述绕组(200)对应的所述绕匝(210)所处位置;

每个所述绕组(200)与相邻最近的所述绕组(200)局部重叠设置,形成抵消所述绕组(200)上磁通的重叠区域(220);

每个所述绕组(200)至少与另两个所述绕组(200)重叠,最小单元的规则形状阵列内形成至少三个的重叠区域(220)。

2.根据权利要求1所述的一种集成多相耦合电感的耦合电感器,其特征在于:所述中柱(112)至少包括三个,且呈三角形排列;

一个所述侧柱(111)与一个所述中柱(112)对应后形成一所述磁通回路(300),两个所述侧柱(111)对应于另一个所述中柱(112)后形成另一个所述磁通回路(300)。

3.根据权利要求1所述的一种集成多相耦合电感的耦合电感器,其特征在于:多个所述中柱(112)包括:呈矩阵排列的第一中柱(112a)、第二中柱(112b)、第三中柱(112c)以及第四中柱(112d),所述第一中柱(112a)与所述第二中柱(112b)以及所述第三中柱(112c)相邻,与所述第四中柱(112d)呈对角线设置;

所述第一中柱(112a)上绕制有第一绕组(200a),所述第二中柱(112b)上绕制有第二绕组(200b),所述第三中柱(112c)上绕制有第三绕组(200c),所述第四中柱(112d)上绕制有第四绕组(200d),所述第一绕组(200a)、所述第二绕组(200b)、所述第三绕组(200c)以及所述第四绕组(200d)在所述基座(110)上呈顺时针或逆时针绕制;所述重叠区域(220)包括:

所述第一绕组(200a)重叠于所述第二绕组(200b)靠近所述平板(120)的一侧,形成第一耦合区;

所述第一绕组(200a)重叠于所述第三绕组(200c)靠近所述平板(120)的一侧,形成第二耦合区;

所述第四绕组(200d)重叠于所述第二绕组(200b)靠近所述平板(120)的一侧,形成第三耦合区;

所述第四绕组(200d)重叠于所述第三绕组(200c)靠近所述平板(120)的一侧,形成第四耦合区。

4.根据权利要求1所述的一种集成多相耦合电感的耦合电感器,其特征在于:在所述基座(110)上,所述重叠区域(220)的投影面积大于所述绕组(200)投影面积的40%。

5.根据权利要求1所述的一种集成多相耦合电感的耦合电感器,其特征在于:相邻所述绕组(200)的绕匝(210)交错层叠设置。

6.根据权利要求1所述的一种集成多相耦合电感的耦合电感器,其特征在于:所述绕组(200)最边缘的绕匝(210)接触于相邻的所述中柱(112)。

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