[发明专利]集成多相耦合电感的耦合电感器及电压转换电路有效
申请号: | 202110715168.0 | 申请日: | 2021-06-26 |
公开(公告)号: | CN113436859B | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | 王文博 | 申请(专利权)人: | 北京泰力控科技有限公司 |
主分类号: | H01F27/30 | 分类号: | H01F27/30 |
代理公司: | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人: | 刘美莲 |
地址: | 101300 北京市顺*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 多相 耦合 电感 电感器 电压 转换 电路 | ||
1.一种集成多相耦合电感的耦合电感器,包括磁芯(100)以及具有至少一个绕匝(210)的绕组(200),其特征在于:所述磁芯(100)包括基座(110)和平板(120),所述基座(110)的一端部均设有侧柱(111),所述基座(110)朝向所述平板(120)的一面设有多个中柱(112),多个所述中柱(112)呈规则形状阵列分布,所述侧柱(111)与所述中柱(112)均朝向所述平板(120)延伸;
多个所述中柱(112)上均绕制有所述绕组(200),各所述绕组(200)的绕制方向相同,各所述绕组(200)的绕制轴向相互平行且均朝向所述平板(120),所述侧柱(111)与距其最近的所述中柱(112)上所述绕组(200)形成磁通回路(300),处于所述磁通回路(300)上的所述绕组(200)形成自感;
距离最近的两所述绕组(200)之间,在所述绕制轴向的方向上,一所述绕组(200)的绕匝(210)所处位置偏离于另一所述绕组(200)对应的所述绕匝(210)所处位置;
每个所述绕组(200)与相邻最近的所述绕组(200)局部重叠设置,形成抵消所述绕组(200)上磁通的重叠区域(220);
每个所述绕组(200)至少与另两个所述绕组(200)重叠,最小单元的规则形状阵列内形成至少三个的重叠区域(220)。
2.根据权利要求1所述的一种集成多相耦合电感的耦合电感器,其特征在于:所述中柱(112)至少包括三个,且呈三角形排列;
一个所述侧柱(111)与一个所述中柱(112)对应后形成一所述磁通回路(300),两个所述侧柱(111)对应于另一个所述中柱(112)后形成另一个所述磁通回路(300)。
3.根据权利要求1所述的一种集成多相耦合电感的耦合电感器,其特征在于:多个所述中柱(112)包括:呈矩阵排列的第一中柱(112a)、第二中柱(112b)、第三中柱(112c)以及第四中柱(112d),所述第一中柱(112a)与所述第二中柱(112b)以及所述第三中柱(112c)相邻,与所述第四中柱(112d)呈对角线设置;
所述第一中柱(112a)上绕制有第一绕组(200a),所述第二中柱(112b)上绕制有第二绕组(200b),所述第三中柱(112c)上绕制有第三绕组(200c),所述第四中柱(112d)上绕制有第四绕组(200d),所述第一绕组(200a)、所述第二绕组(200b)、所述第三绕组(200c)以及所述第四绕组(200d)在所述基座(110)上呈顺时针或逆时针绕制;所述重叠区域(220)包括:
所述第一绕组(200a)重叠于所述第二绕组(200b)靠近所述平板(120)的一侧,形成第一耦合区;
所述第一绕组(200a)重叠于所述第三绕组(200c)靠近所述平板(120)的一侧,形成第二耦合区;
所述第四绕组(200d)重叠于所述第二绕组(200b)靠近所述平板(120)的一侧,形成第三耦合区;
所述第四绕组(200d)重叠于所述第三绕组(200c)靠近所述平板(120)的一侧,形成第四耦合区。
4.根据权利要求1所述的一种集成多相耦合电感的耦合电感器,其特征在于:在所述基座(110)上,所述重叠区域(220)的投影面积大于所述绕组(200)投影面积的40%。
5.根据权利要求1所述的一种集成多相耦合电感的耦合电感器,其特征在于:相邻所述绕组(200)的绕匝(210)交错层叠设置。
6.根据权利要求1所述的一种集成多相耦合电感的耦合电感器,其特征在于:所述绕组(200)最边缘的绕匝(210)接触于相邻的所述中柱(112)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京泰力控科技有限公司,未经北京泰力控科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110715168.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。