[发明专利]反应腔室、半导体工艺设备及半导体工艺方法

权利要求书

1.一种反应腔室，用于半导体工艺设备中，其特征在于，包括：

腔室主体；

承载机构，设置在所述腔室主体中，用于承载晶圆；

第一传输机构，设置在所述腔室主体中，用于在所述承载机构与所述腔室主体内的第一容纳区域之间传输晶圆；

第二传输机构，设置在所述腔室主体中，用于在所述承载机构与所述腔室主体内的第二容纳区域之间传输工艺遮挡件。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述腔室主体的一个侧壁外凸形成至少部分所述第一容纳区域，所述第一容纳区域用于容纳所述晶圆；

所述腔室主体的另一个侧壁外凸形成至少部分所述第二容纳区域，所述第二容纳区域用于容纳所述工艺遮挡件。

3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括第一壳体，所述第一壳体密封连接于所述腔室主体的一个侧壁上，且所述第一壳体的内腔与所述腔室主体的内部连通，所述第一壳体的内腔作为至少部分所述第一容纳区域；

所述反应腔室还包括第二壳体，所述第二壳体密封连接于所述腔室主体的另一个侧壁上，且所述第二壳体的内腔与所述腔室主体的内部连通，所述第二壳体的内腔作为至少部分所述第二容纳区域。

4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述第一壳体和所述第二壳体的一端均设置开口，且所述开口的周围设有边沿，所述腔室主体的一个侧壁和另一个侧壁均开设通孔；

所述第一壳体通过边沿固定于所述腔室主体的所述一个侧壁上，所述第一壳体的边沿与所述腔室主体的所述一个侧壁之间设有密封件，且所述第一壳体的开口与所述腔室主体的所述一个侧壁上的通孔连通；所述第二壳体通过边沿固定于所述腔室主体的另一个侧壁，所述第二壳体的边沿与所述腔室主体的所述另一个侧壁之间设有密封件，且所述第二壳体的开口与所述腔室主体的所述另一个侧壁上的通孔连通。

5.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述第一传输机构包括第一悬臂和第一旋转组件，所述第一旋转组件包括驱动源、旋转轴和动密封件，所述第一悬臂固定于所述旋转轴的一端，用于承载所述晶圆，所述旋转轴的另一端穿过所述腔室主体与所述驱动源传动连接，所述动密封件设置于所述旋转轴与所述腔室主体之间，用于密封所述腔室主体，所述驱动源用于驱动所述旋转轴旋转，所述旋转轴带动所述第一悬臂旋转，以通过所述第一悬臂在所述承载机构与所述第一容纳区域之间传输晶圆。

6.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述承载机构包括：

可升降的承载座，用于承载晶圆，所述承载座设有多个穿孔；

可升降的顶升组件，包括多个顶针，所述顶针对应地设置于所述穿孔中，并能够在穿孔中升降，所述顶升组件用于承载所述工艺遮挡件或所述晶圆，并带动所述工艺遮挡件或所述晶圆升降。

7.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括权利要求1至6中任意一项所述的反应腔室。

8.一种半导体工艺方法，应用于权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺方法包括：

通过所述第一传输机构将晶圆自所述承载机构传输至所述第一容纳区域；

通过所述第二传输机构将工艺遮挡件自所述第二容纳区域传输至所述承载机构；

转换工艺状态；

通过所述第二传输机构将所述工艺遮挡件自所述承载机构传输至所述第二容纳区域；

通过所述第一传输机构将所述晶圆自所述第一容纳区域传输至所述承载机构；

对所述晶圆实施工艺。