[发明专利]边缘发射的半导体激光器和这种半导体激光器的运行方法

说明书

在一个实施方式中，边缘发射的半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生激光辐射(L)的有源区(22)。在半导体层序列(2)上形成用于耦合输出和/或反射激光辐射(L)的棱面(3)。直接在棱面(3)上存在用于保护棱面(3)防止损坏的保护层序列(4)。保护层序列(4)沿背离半导体层序列(2)的方向具有单晶的起始层(41)、具有至少一种14族材料的中间层(42)以及至少一个由氮化物、氧化物或氮氧化物构成的封闭层(43)。起始层(41)、中间层(42)以及封闭层(43)成对地由不同材料体系制造。

本发明申请是申请日期为2018年6月5日、申请号为“201880038122.6”、发明名称为“边缘发射的半导体激光器和这种半导体激光器的运行方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

提出一种边缘发射的半导体激光器。此外，提出一种用于这种半导体激光器的运行方法。

背景技术

在文献US 2009/0257466A1中提出一种具有棱面钝化部的光电子半导体激光器。

文献DE 10 2009 054 912 A1涉及一种高功率激光二极管的钝化部。

发明内容

要实现的目的在于，提出一种半导体激光器，其在光学功率大的情况下具有高的使用寿命。

所述目的尤其通过具有独立权利要求的特征的半导体激光器和通过运行方法实现。优选的改进方案是从属权利要求的主题。

根据至少一个实施方式，半导体激光器是边缘发射的激光器。这例如意味着，在运行中产生的激光辐射基本上垂直于半导体激光器的半导体层序列的生长方向引导。半导体激光器的放射光的面可以平行于或近似平行于生长方向定向。

尤其，半导体激光器中的谐振器路段垂直于生长方向伸展。

根据至少一个实施方式，半导体层序列设立用于产生激光辐射。为此，半导体层序列优选具有一个或多个有源区。在至少一个有源区中经由载流子复合，即电致发光产生激光辐射。

半导体层序列优选基于III-V族化合物半导体材料。半导体材料例如是氮化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mN，或者是磷化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mP，或者也是砷化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mAs或如Al_nGa_mIn_1-n-mAs_kP_1-k，其中分别有0≤n≤1,0≤m≤1并且n+m≤1以及0≤k＜1。优选地，在此对于半导体层序列的至少一个层或对于所有层适用0＜n≤0.8，0.4≤m＜1并且n+m≤0.95以及0＜k≤0.5。在此，半导体层序列可以具有掺杂物以及附加的组成部分。为了简单，然而仅给出半导体层序列的晶格的主要组成部分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使这些主要组成部分可以部分地由少量其他物质替代和/或补充时也如此。

优选地，半导体层序列基于材料体系AlInGaAs，如上文所定义那样。

根据至少一个实施方式，半导体激光器在半导体层序列上具有至少一个棱面。棱面设立用于将激光辐射耦合输出和/或反射。尤其，在半导体层序列上在彼此相对置的侧面上存在两个棱面，所述棱面限定用于激光辐射的谐振器。

根据至少一个实施方式，半导体激光器包含一个或多个保护层序列。至少一个保护层序列设立用于保护棱面防止损坏。优选地，保护层序列直接位于棱面上。可能的是，在每个设立用于将激光辐射耦合输出和/或反射的棱面上安置有保护层序列。