[发明专利]一种双层钙钛矿薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种双层钙钛矿薄膜，其特征在于，所述薄膜依次包括透明导电基底层、宽带隙钙钛矿固体薄膜层、窄带隙钙钛矿固体薄膜层。

2.根据权利要求1所述的双层钙钛矿薄膜，其特征在于，所述透明导电基底选自包括FTO、ITO中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的双层钙钛矿薄膜，其特征在于，所述宽带隙钙钛矿固体薄膜层、窄带隙钙钛矿固体薄膜层材料包括选自无机钙钛矿、有机无机杂化钙钛矿、二元共混钙钛矿、三元共混钙钛矿中的一种或多种。

4.根据权利要求3所述的双层钙钛矿薄膜，其特征在于，所述无机钙钛矿包括CsPb_nSn_1-nX₃，其中X为Cl，Br，I中的一种或多种，且0≤n≤1。

5.根据权利要求3所述的双层钙钛矿薄膜，其特征在于，所述有机无机杂化钙钛矿包括MAPbX₃、FAPbX₃、FA_nMA_1-nPbX₃、FA_nCs_1-nPbX₃中的一种或多种，其中，MA = CH₃NH₃，FA = (NH₂)₂CH ，X选自为Cl、Br、I中的一种或多种，且0≤n≤1。

6.根据权利要求1-5任一项所述的双层钙钛矿薄膜的制备方法，包括如下步骤：

（1）对透明导电基底进行清洗，随后放入烘箱干燥；

（2）分别制备宽带隙钙钛矿前驱体溶液及窄带隙钙钛矿前驱体溶液，并分别对两种钙钛矿前驱体溶液进行雾化处理；

（3）以驱动扫描的方式控制喷头首先将雾化处理后的宽带隙钙钛矿前驱体溶液均匀喷涂在加热后的透明导电基底上，形成钙钛矿前驱体液膜，待溶剂挥发后生成均匀的宽带隙钙钛矿固体薄膜，对钙钛矿进行保温处理，以促使晶体的进一步生长；

（4）以驱动扫描的方式控制喷头将雾化处理后的窄带隙钙钛矿前驱体溶液均匀喷涂在步骤（3）获得的宽带隙钙钛矿固体薄膜上，待溶剂挥发后形成均匀的双层钙钛矿薄膜，对钙钛矿进行保温处理，以促使晶体的进一步生长。

7.根据权利要求6所述的的制备方法，其特征在于，步骤（3）和步骤（4）中所述基底加热至110-250℃。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）和步骤（4）喷涂过程中，所述喷头距基底或宽带隙钙钛矿固体薄膜的高度为1-7 mm，扫描速度为0.2-2 cm/s。

9.根据权利要求6-8任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）和步骤（4）在进行雾化处理时包括通氮气步骤。

10.一种钙钛矿双波段光电探测器，包括根据权利要求1-5任一项所述的双层钙钛矿薄膜或根据权利要求6-9任一项制备方法制备获得的双层钙钛矿薄膜。