[发明专利]显示基板、显示装置在审

专利信息
申请号: 202110707957.X 申请日: 2021-06-24
公开(公告)号: CN113410279A 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 都蒙蒙;王蓉;田东辉;樊聪;董向丹;袁长龙 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L27/02
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;胡影
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 显示 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示基板,其特征在于,包括:基底和设置于所述基底上的多个子像素,所述多个子像素呈阵列分布;所述多个子像素包括:

多个第一子像素,所述第一子像素包括第一子像素驱动电路,所述第一子像素驱动电路包括第一驱动晶体管;所述第一驱动晶体管包括第一栅极层和第一有源层,所述第一有源层包括第一沟道图形,所述第一沟道图形在所述基底上的正投影位于所述第一栅极层在所述基底上的正投影内部;所述第一沟道图形用于形成所述第一驱动晶体管的沟道;

多个第二子像素,所述第二子像素包括第二子像素驱动电路,所述第二子像素驱动电路包括第二驱动晶体管,所述第二驱动晶体管包括第二栅极层和第二有源层,所述第二有源层包括第二沟道图形,所述第二沟道图形在所述基底上的正投影位于所述第二栅极层在所述基底上的正投影内部;所述第二沟道图形用于形成所述第二驱动晶体管的沟道;

所述第二驱动晶体管的沟道宽长比小于所述第一驱动晶体管的沟道宽长比。

2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一驱动晶体管的沟道宽长比W1/L1与所述第二驱动晶体管的沟道宽长比W2/L2之间满足:

2×(W2/L2)≤W1/L1≤5×(W2/L2)。

3.根据权利要求1或2所述的显示基板,其特征在于,

所述第一沟道图形包括第一沟道边界,所述第一栅极层包括第一栅极边界,所述第一沟道边界与所述第一栅极边界相邻,所述第一沟道边界的延伸方向与所述第一栅极边界的延伸方向大致相同,所述第一沟道边界在所述基底上的正投影,与所述第一栅极边界在所述基底上的正投影之间具有最小的第一距离d1,d1满足:4μm≤d1≤8μm。

4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第一沟道图形包括第一子图形,第二子图形和第三子图形;所述第一子图形的至少部分沿第一方向延伸,所述第二子图形的至少部分沿所述第一方向延伸,所述第三子图形的至少部分沿第二方向延伸,所述第二方向与所述第一方向相交;

所述第一子图形与所述第三子图形的第一端耦接,所述第二子图形与所述第三子图形的第二端耦接,所述第一子图形位于所述第三子图形的第一侧,所述第二子图形位于所述第三子图形的第二侧,所述第一侧和所述第二侧沿所述第一方向相对。

5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,

所述第三子图形在所述第二方向具有第一长度d2,d2满足:3μm≤d2≤4μm。

6.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述第三子像素包括第三子像素驱动电路,所述第三子像素驱动电路包括第三驱动晶体管;所述第三驱动晶体管包括第三栅极层和第三有源层,所述第三有源层包括第三沟道图形,所述第三沟道图形在所述基底上的正投影位于所述第三栅极层在所述基底上的正投影内部,所述第三沟道图形用于形成所述第三驱动晶体管的沟道;

所述第三驱动晶体管的沟道宽长比W3/L3与所述第二驱动晶体管的沟道宽长比W2/L2之间满足:W3/L3≤W2/L2≤2×(W3/L3)。

7.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第一沟道图形呈几字型。

8.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一子像素还包括:第一存储电容,所述第一存储电容包括相对设置的第一极板和第二极板,所述第一极板与所述第二极板之间具有第一正对面积S1;

所述第二子像素包括第二存储电容,所述第二存储电容包括相对设置的第三极板和第四极板,所述第三极板与所述第四极板之间具有第二正对面积S2,S2小于S1。

9.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,130%*S2小于S1。

10.根据权利要求8或9所述的显示基板,其特征在于,所述第三极板的面积小于所述第一极板的面积。

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