[发明专利]TFT阵列基板及其驱动方法有效
申请号: | 202110707785.6 | 申请日: | 2021-06-24 |
公开(公告)号: | CN113406832B | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 程晓婷 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/12 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 蔡光仟 |
地址: | 215301 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | tft 阵列 及其 驱动 方法 | ||
1.一种TFT阵列基板,包括多条扫描线(1)、多条数据线(2)以及由所述多条扫描线(1)和所述多条数据线(2)绝缘交叉限定形成的多个像素单元(P),其特征在于,每个像素单元(P)内设有两个像素电极(3),所述两个像素电极(3)沿所述扫描线(1)的延伸方向排列设置,每个像素电极(3)通过两个薄膜晶体管(4)与其相邻的扫描线(1)和数据线(2)相连,所述两个薄膜晶体管(4)沿所述扫描线(1)的延伸方向排列设置且均与同一条扫描线(1)和同一条数据线(2)相连,所述两个薄膜晶体管(4)并联设置,所述两个薄膜晶体管(4)在打开时能够同时对对应的像素电极(3)进行充电,所述两个薄膜晶体管(4)的漏极为一体结构,其中一个所述薄膜晶体管(4)的漏极由另一个所述薄膜晶体管(4)的漏极沿所述扫描线(1)的延伸方向延伸凸出形成。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,每个像素单元(P)内,所述两个像素电极(3)中的其中一者与其上方的扫描线(1)相连,另外一者与其下方的扫描线(1)相连,所述两个像素电极(3)均与同一侧的数据线(2)相连;同一行像素单元(P)内的像素电极(3)均与同一侧的数据线(2)相连,且每相邻的两行像素单元(P),位于上一行的像素单元(P)内的像素电极(3)均与其中一侧的数据线(2)相连,位于下一行的像素单元(P)内的像素电极(3)均与另外一侧的数据线(2)相连。
3.一种驱动方法,其特征在于,应用于如权利要求1或2任一项所述的TFT阵列基板,每个像素单元(P)包括第一像素电极(31)和第二像素电极(32),所述多条扫描线(1)包括第一扫描线(11)和第二扫描线(12),所述第一扫描线(11)和所述第二扫描线(12)分别位于所述第一像素电极(31)和所述第二像素电极(32)的上下两侧,所述多条数据线(2)包括位于所述第一像素电极(31)和所述第二像素电极(32)一侧的第一数据线(21),所述第一像素电极(31)通过第一薄膜晶体管(41)和第二薄膜晶体管(42)与所述第一数据线(21)和所述第一扫描线(11)相连,所述第二像素电极(32)通过第三薄膜晶体管(43)和第四薄膜晶体管(44)与所述第一数据线(21)和所述第二扫描线(12)相连,所述驱动方法包括:
向所述第一扫描线(11)输入第一电平信号以打开所述第一薄膜晶体管(41)和所述第二薄膜晶体管(42),所述第一数据线(21)通过所述第一薄膜晶体管(41)和所述第二薄膜晶体管(42)同时对所述第一像素电极(31)进行充电;
向所述第一扫描线(11)输入第二电平信号以关闭所述第一薄膜晶体管(41)和所述第二薄膜晶体管(42),向所述第二扫描线(12)输入第一电平信号以打开所述第三薄膜晶体管(43)和所述第四薄膜晶体管(44),所述第一数据线(21)通过所述第三薄膜晶体管(43)和所述第四薄膜晶体管(44)同时对所述第二像素电极(32)进行充电。
4.如权利要求3所述的驱动方法,其特征在于,所述第一像素电极(31)靠近所述第一数据线(21)设置,所述第三薄膜晶体管(43)的源极(431)先与所述第四薄膜晶体管(44)的源极(441)相连,再通过所述第四薄膜晶体管(44)的源极(441)与所述第一数据线(21)相连,所述第三薄膜晶体管(43)的漏极(432)由所述第四薄膜晶体管(44)的漏极(442)延伸凸出形成。
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