[发明专利]一种共阳极二极管器件及其制备方法

权利要求书

1.一种共阳极二极管器件，其特征在于，包括：

导电支架，包括散热片及设于所述散热片一侧的至少两个管脚；

第一二极管芯片，其阴极朝下阳极朝上的焊接于所述散热片之上，所述第一二极管芯片的阴极全面接触所述散热片；

阳极铜片，层叠焊接于所述第一二极管芯片的阳极之上；

第二二极管芯片，其阴极朝上阳极朝下的层叠焊接于所述阳极铜片之上；

阴极铜片，层叠焊接于所述第二二极管芯片的阴极之上，所述第二二极管芯片的阴极全面接触所述阴极铜片；

其中，所述阴极铜片和所述散热片的厚度相同，所述阳极铜片和所述阴极铜片分别与一个所述管脚焊接；

所述阳极铜片和所述阴极铜片的一侧均外延形成一外延部，以通过所述外延部与对应的所述管脚焊接；

所述管脚与所述外延部焊接的一端延伸出焊盘，所述外延部与所述焊盘焊接；

所述散热片、所述阳极铜片和所述阴极铜片具有高低落差；

其中，所述散热片、所述阳极铜片和所述阴极铜片对应连接的管脚也相应的高低错落布置；或者

所述焊盘与所述散热片共面设置，所述外延部朝向所述焊盘折弯之后与所述焊盘焊接，并通过不同的折弯深度设计来构成3D封装结构；

所述管脚的数量为3个，3个所述管脚分别与所述散热片、所述阳极铜片和所述阴极铜片连接；所述共阳极二极管器件还包括用于对所述共阳极二极管器件进行封装的封装层，所述封装层为薄膜材质；

所述散热片与所述第一二极管芯片的阴极之间设有第一锡膏；

所述阳极铜片与所述第一二极管芯片的阳极之间设有第二锡膏；

所述阳极铜片与所述第二二极管芯片的阳极之间设有第三锡膏；

所述阴极铜片与所述第二二极管芯片的阴极之间设有第四锡膏。

2.一种共阳极二极管器件的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1所述的共阳极二极管器件，所述制备方法包括：

步骤S01、提供一导电支架；

步骤S02、在所述导电支架的散热片之上设置第一锡膏；

步骤S03、将第一二极管芯片的阴极朝下阳极朝上的放置于所述第一锡膏上焊接；

步骤S04、在所述第一二极管芯片的阳极之上设置第二锡膏；

步骤S05、将阳极铜片放置于所述第二锡膏上焊接，并使所述阳极铜片与所述导电支架的其中一管脚焊接；

步骤S06、在所述阳极铜片之上设置第三锡膏；

步骤S07、将第二二极管芯片的阴极朝上阳极朝下的放置于所述第三锡膏上焊接；

步骤S08、在所述第二二极管芯片的阴极之上设置第四锡膏；

步骤S09、将阴极铜片放置于所述第四锡膏上焊接，并使所述阴极铜片与所述导电支架的另一管脚焊接；

步骤S10，对步骤S09得到的整体进行封装，形成所述共阳极二极管器件。