[发明专利]一种一维导电链半导体材料Ba3

权利要求书

1.一种半导体材料，其化学通式为：Ba₃NbTe₅；所述半导体材料为六方晶系，空间群为P6₃/mcm，空间群号为193，其晶体结构沿着c轴方向由三聚化的NbTe₆八面体通过面共享方式连接，呈典型一维链状结构；而a//b平面由NbTe₆链组成三角晶格，链与链之间平行排列，保持长度为晶格常数a的距离。

2.一种制备权利要求1所述半导体材料的方法，包括以下步骤：

（1）将金属Ba颗粒和Te粉末按照化学计量比Ba：Te=1:1进行混合，密封在高真空度的石英管中，进行烧结，得到前驱体BaTe；

（2）将Nb粉和Te粉按照化学计量比1：2进行混合，密封在高真空度的石英管中，进行烧结,得到前驱体NbTe₂；

（3）将上述制备的BaTe和NbTe₂按照3：1的摩尔计量比，充分研磨，得到均匀的混合物；

（4）利用压片机将得到的混合物压制成形;

（5）将压制成形的混合物置于3~8GPa的压力以及1300~1500℃温度下进行烧结，得到Ba₃NbTe₅材料。

3.根据权利要求2所述方法，其中，步骤(4)中利用压片机将混合物压制成形，所述性状为直径6mm，高为1~3mm的圆柱体。

4.根据权利要求2所述方法，其中，步骤(5)中烧结时间为0.1~3小时。

5.根据权利要求2所述方法，其中，步骤(5)中烧结温度为1300~1500℃，烧结压力为3~8GPa。