[发明专利]微流制冷通道的制作方法以及芯片在审
| 申请号： | 202110705750.9 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113629024A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 黄立;马占锋;高健飞;黄晟;王春水;叶帆 | 申请（专利权）人： | 武汉高芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/46;H01L23/473 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 胡建文 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制冷 通道 制作方法 以及 芯片 | ||
1.一种微流制冷通道的制作方法，其特征在于，包括：
S1，在待制冷基材上形成牺牲层；
S2，根据微流制冷通道的设计形状，图形化所述牺牲层；
S3，在所述牺牲层上沉积盖面层；
S4，释放所述牺牲层，所述盖面层立于所述待制冷基材上并与所述待制冷基材围设形成微流制冷通道。
2.如权利要求1所述的微流制冷通道的制作方法，其特征在于：所述盖面层采用氮化硅、碳化硅或氮氧化硅沉积形成。
3.如权利要求1所述的微流制冷通道的制作方法，其特征在于：所述牺牲层采用硅基类牺牲材料、碳基类牺牲材料或聚酰亚胺类牺牲材料。
4.如权利要求3所述的微流制冷通道的制作方法，其特征在于：
所述牺牲层采用硅基类牺牲材料时，S4中，采用酸腐蚀方法对所述牺牲层进行释放；
所述牺牲层采用碳基类牺牲材料或聚酰亚胺类牺牲材料时，S4中，采用氧气高温反应或氧气微波方式对所述牺牲层进行释放。
5.如权利要求1所述的微流制冷通道的制作方法，其特征在于：S2中，图形化所述牺牲层后，清洗去除光阻和刻蚀渣料。
6.如权利要求1所述的微流制冷通道的制作方法，其特征在于：所述牺牲层的厚度为6～20μm。
7.如权利要求1所述的微流制冷通道的制作方法，其特征在于：所述待制冷基材为芯片晶圆。
8.一种芯片，包括芯片晶圆，其特征在于：采用如权利要求1至6中任一项所述的微流制冷通道的制作方法在芯片晶圆上集成有微流制冷通道。
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