[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110705317.5 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113644044A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 黄文宏 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
第二线路层；
第一线路层，通过多个凸块接合至所述第二线路层的顶面，所述第一线路层具有线路密集区和线路疏离区；
通孔，穿过所述第一线路层的所述线路疏离区以将所述第一线路层电连接至所述第二线路层。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多个凸块位于所述线路密集区下方。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述线路疏离区中介电层的体积与所述线路疏离区的体积的比率大于89.83％，所述线路密集区中介电层的体积与所述线路密集区的体积的比率小于89.83％。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述线路疏离区位于所述线路密集区的周围。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二线路层中内埋有复数个电子元件，所述电子元件电连接至所述第一线路层。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述电子元件为晶片。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述复数个电子元件位于所述线路密集区下方。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
填充材料，位于所述第一线路层和所述第二线路层之间，所述通孔穿过所述填充材料。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述填充材料围绕所述多个凸块。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述通孔是热通孔。
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