[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

包括显示区域和非显示区域的基板；

位于所述非显示区域中的第一薄膜晶体管；以及

位于所述显示区域中的第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，

其中，所述第一薄膜晶体管包括：

包括第一多晶硅的第一半导体图案；

与所述第一半导体图案交叠的第一栅极电极；以及

连接至所述第一半导体图案的第一源极电极和第一漏极电极，其中，所述第二薄膜晶体管包括：

包括第一氧化物半导体的第二半导体图案和第三半导体图案；

与所述第二半导体图案交叠的第二栅极电极；

与所述第三半导体图案交叠的第三栅极电极；以及

通过接触孔连接至所述第二半导体图案和所述第三半导体图案的第二源极电极和第二漏极电极，并且

其中，所述第三薄膜晶体管包括：

包括第一氧化物半导体的第四半导体图案；

与所述第四半导体图案交叠的第四栅极电极；以及

连接至所述第四半导体图案的第三源极电极和第三漏极电极。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二半导体图案和所述第三半导体图案通过所述第二源极电极和所述第二漏极电极并联连接。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二半导体图案和所述第三半导体图案彼此交叠。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二半导体图案包括第二源极区和第二漏极区，所述第二源极电极和所述第二漏极电极分别与所述第二源极区和所述第二漏极区接触，并且

其中，所述第三半导体图案包括第三源极区和第三漏极区，所述第二源极电极和所述第二漏极电极分别与所述第三源极区和所述第三漏极区接触。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二源极区、所述第二漏极区、所述第三源极区和所述第三漏极区中的每一个使用掺杂剂掺杂并且包括导电区。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，当所述第二半导体图案的导电区在沟道方向上的长度由L2表示并且所述第三半导体图案的导电区在沟道方向上的长度由L1表示时，L2被设置为大于L1。

7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述掺杂剂包括硼B、磷P、氟F和氢H中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在Ids-Vgs曲线中的饱和区域中，所述第二薄膜晶体管的驱动电流的值大于所述第三薄膜晶体管的驱动电流的值，其中，Ids表示源极-漏极电流，并且Vgs表示栅极-源极电压。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二薄膜晶体管的S因子的值大于所述第三薄膜晶体管的S因子的值，其中所述S因子表示电流变化与电压变化的比率。

10.一种显示装置，包括：

包括显示区域和非显示区域的基板；

位于所述非显示区域中的驱动电路单元；以及

位于所述显示区域中的像素单元；

其中，所述像素单元包括开关晶体管和驱动晶体管，所述开关晶体管和所述驱动晶体管被配置成具有各自不同的结构，

其中，所述驱动晶体管包括：

包括源极/漏极区和沟道区的第一有源层；

位于所述第一有源层上方的第二有源层；

位于所述第二有源层上方的源极/漏极电极，所述源极/漏极电极连接至所述第一有源层的源极/漏极区以及所述第二有源层的源极/漏极区；

位于所述第一有源层下方的下栅极电极；以及

位于所述第二有源层上方的上栅极电极；

其中，所述第一有源层的源极/漏极区通过第一接触孔连接至所述源极/漏极电极，

其中，所述第二有源层的源极/漏极区通过第二接触孔连接至所述源极/漏极电极，并且

其中，所述第一接触孔位于在沟道方向上比所述第二接触孔更远离所述上栅极电极的位置。