[发明专利]在半导体器件和热交换器间产生热界面键合的装置和方法在审
| 申请号： | 202110704474.4 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN113436977A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | R·B·伯顿;J·E·希瑟;R·N·杰瑞特;J·P·罗斯 | 申请（专利权）人： | 铟泰公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 魏利娜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 热交换器 生热 界面 装置 方法 | ||
1.一种用于将半导体器件键合到热交换器的方法，包括：
将包含块状液态金属的键合增强剂施加到所述半导体器件的第一表面；
去除所述块状液态金属以在所述半导体器件的所述第一表面上留下氧化物种子层；
在所述半导体器件上设置热界面，使得所述热界面的第一表面与所述氧化物种子层成接触关系；
将热交换器设置成与所述热界面的与所述第一表面相对的第二表面成接触关系；和
在设置所述热界面和所述热交换器之后，将所述半导体器件键合到所述热交换器，其中所述半导体器件键合到所述热交换器，而不使用单独的金属化层来将所述热界面键合到所述半导体器件。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述块状液态金属包括镓。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述块状液态金属包括铟。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述热界面包括铟金属。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述块状液态金属包括镓。
6.根据权利要求4所述的方法，其中所述块状液态金属包括铟。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述热交换器包括散热器、热扩散器或盖。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括将键合增强剂施加到所述热交换器的表面，所述表面将被设置为与所述热界面的所述第二表面成接触关系。
9.根据权利要求1所述的方法，其中将所述半导体器件键合到所述热交换器包括：将所述氧化物种子层与所述热界面合金化以形成固态合金。
10.根据权利要求9所述的方法，其中将所述氧化物种子层与所述热界面合金化以形成所述固态合金包括：在包括所述半导体器件、所述热界面和所述热交换器的组件上执行回流操作。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铟泰公司，未经铟泰公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
