[发明专利]一种高电导率Si/C纳米膜的制备方法及应用有效
| 申请号： | 202110703747.3 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113471399B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 余佳阁 | 申请（专利权）人： | 湖北工程学院 |
| 主分类号： | H01M4/04 | 分类号： | H01M4/04;H01M10/0525;C23C14/35;D01D5/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 兰岚 |
| 地址： | 432000 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电导率 si 纳米 制备 方法 应用 | ||
1.一种高电导率Si/C纳米膜的制备方法，包括以下步骤：
S1、将碳源和硅源按8：1的质量比溶解于溶剂中，经搅拌得到预溶液；
S2、将所述预溶液进行静电纺丝，获得预产物；
S3、将所述预产物依次经过干燥、固化和煅烧操作，得到Si/C纳米膜；
S4、将步骤S3所制得的Si/C纳米膜真空镀膜，镀一层导电层，即得到高电导率Si/C纳米膜；
所述碳源为聚丙烯腈、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇中的一种；
所述硅源为粒径20～50nm的纳米硅粉；
在步骤S3中，固化温度为280℃，固化时间为2h；煅烧温度为600～1000℃，煅烧时间为1～3h，升温速率为1～5℃/min；
在步骤S4中，采用磁控溅射法为步骤S3所制得的Si/C纳米膜表面真空镀膜，真空度设置为3×10-3～6×10-3Pa，导电靶材为铜、银、金中的一种；所述导电层的厚度为50～500nm；
所述高电导率Si/C纳米膜用于锂离子电池负极材料的制备。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碳源为聚丙烯腈，所述溶剂为氮氮二甲基甲酰胺。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碳源为聚乙烯吡咯烷酮或聚乙烯醇，所述溶剂为纯水。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，搅拌温度为25℃，搅拌时间为10h。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，静电纺丝的参数为：喷注速度1～1.5mL/h，高压15～22KV，负压-2.3KV。
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