[发明专利]一种制造肖特基二极管的方法在审
| 申请号： | 202110703190.3 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113314412A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 黄宏嘉;林和;牛崇实;洪学天;张维忠 | 申请（专利权）人： | 弘大芯源（深圳）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 赵银萍 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区航城街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制造 肖特基 二极管 方法 | ||
1.一种制造肖特基二极管的方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、对已形成第一导电类型的轻掺杂的外延层的，并有第一导电类型的重掺杂的硅衬底的表面氧化，形成表面二氧化硅层；
S2、在外延层中形成第二导电类型的保护环，并在二氧化硅层中形成接触窗口；
S3、通过施加铂层和一层难熔金属在接触窗口中形成第一壁垒层；
S4、在惰性或还原性环境中进行热处理并除去未反应的残留物；
S5、通过施加难熔金属形成第二壁垒层；
S6、在器件表面依次沉积钛、镍和银沉积层，光刻形成阳极金属化层；
S7、在器件另一表面依次沉积钛，镍和银形成阴极。
2.根据权利要求1所述的制造肖特基二极管的方法，其特征在于：S2所述在外延层中形成第二导电类型的保护环包括：对表面二氧化硅层进行光刻，在光刻位置的外延层中形成P型保护环。
3.根据权利要求1所述的制造肖特基二极管的方法，其特征在于：S2所述保护环形成后，将硼离子掺杂到保护环的近表面区域；硼离子掺杂以200-300μC(1.2-1.9E15)/cm2的剂量和10-20keV的能量进行。
4.根据权利要求1所述的制造肖特基二极管的方法，其特征在于：S3所述难熔金属包括金属镍；厚度为20-100nm。
5.根据权利要求1所述的制造肖特基二极管的方法，其特征在于：S4所述热处理，热处理环境温度为525-575℃，处理时长15-60min。
6.根据权利要求1所述的制造肖特基二极管的方法，其特征在于：S5所述难熔金属包括金属钒；S5具体包括：第二壁垒层在壁垒层与硅氧化物之间有间隙的窗口中，通过在保护环上方涂覆钒层并后续光刻而形成。
7.根据权利要求6所述的制造肖特基二极管的方法，其特征在于：S5中，涂覆的钒层厚度为0.1-0.3μm。
8.根据权利要求1所述的制造肖特基二极管的方法，其特征在于：S6制备阳极金属化层前，先在器件表面制备铝或铝合金缓冲金属层。
9.根据权利要求8所述的制造肖特基二极管的方法，其特征在于：S6中制备铝或铝合金缓冲金属层的厚度为0.5-5.0μm。
10.根据权利要求1、8或9任一项所述的制造肖特基二极管的方法，其特征在于：在S7或S6之前，对硅衬底进行研磨，直到达到所需要的厚度为止。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
