[发明专利]阵列基板、阵列基板制造方法及显示面板有效

专利信息
申请号: 202110702781.9 申请日: 2021-06-24
公开(公告)号: CN113362721B 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 龚帆;艾飞;宋继越 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G09F9/30 分类号: G09F9/30;H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 王红红
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 阵列 制造 方法 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

基底;

薄膜晶体管,设于所述基底上,包括栅极、有源层、连接所述有源层的源极和漏极;

感光传感器,所述感光传感器包括感光模块和存储模块,所述感光模块包括感光半导体层,所述存储模块包括第一电极板和第二电极板;

第一绝缘层,设于所述感光半导体层和所述薄膜晶体管上,所述存储模块设置于所述第一绝缘层上;

其中,所述感光半导体层设置于所述漏极的延伸部之上,所述第一电极板电连接所述感光半导体层远离所述漏极的延伸部的一侧,所述第二电极板电连接所述漏极。

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述存储模块包括存储电容,所述第一电极板和所述第二电极板构成所述存储电容。

3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二电极板设于所述第一绝缘层上,所述阵列基板还包括:

第二绝缘层,设于所述第二电极板上,所述第一电极板设于所述第二绝缘层上,所述第一电极板通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的第一过孔连接所述感光半导体层。

4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,还包括:

连接电极,设于所述第二绝缘层上,所述第二绝缘层包括第二过孔,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层还包括第三过孔,所述连接电极的一端通过所述第二过孔连接所述第二电极板,所述连接电极的另一端通过所述第三过孔连接所述漏极。

5.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层包括第四过孔,所述第二电极板通过所述第四过孔连接所述漏极。

6.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极板设于所述第一绝缘层上,所述阵列基板还包括:

第二绝缘层,设于所述第一电极板上,所述第二电极板设于所述第二绝缘层上,所述第一电极板通过所述第一绝缘层中的第五过孔连接所述感光半导体层,所述第二电极板通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的第六过孔连接所述漏极。

7.如权利要求3至6任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述感光半导体层采用非晶硅制备。

8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述感光半导体层包括设于所述漏极的延伸部上的N型非晶硅、设于所述N型非晶硅上的本征非晶硅;或

所述感光半导体层包括设于所述漏极的延伸部上的N型非晶硅、设于所述N型非晶硅上的本征非晶硅,以及设于所述本征非晶硅上的P型非晶硅。

9.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,还包括:

公共电极,设于所述第一绝缘层上;

像素电极,设于所述第二绝缘层上;

其中,所述公共电极与所述第一绝缘层上的对应电极板采用同一金属制备,所述像素电极与所述第二绝缘层上的对应电极板采用同一金属制备。

10.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,还包括:

像素电极,设于所述第一绝缘层上;

公共电极,设于所述第二绝缘层上;

其中,所述像素电极与所述第一绝缘层上的对应电极板采用同一金属制备,所述公共电极与所述第二绝缘层上的对应电极板采用同一金属制备。

11.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极板在所述基底上的正投影与所述感光半导体层在所述基底上的正投影至少部分重叠;

所述第一电极板的材料为透明材料。

12.如权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极板电连接至所述公共电极。

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