[发明专利]一种高效制备Micro-LED芯片的方法和系统

权利要求书

1.一种高效制备Micro-LED芯片的方法，其特征在于，包括：

提供氮化镓基外延片，所述氮化镓基外延片包括基底、P型氮化镓层、多量子阱结构以及N型氮化镓层；

采用飞秒激光束在所述氮化镓基外延片上制备台面阵列，所述台面阵列包括多个台面结构；

在所述台面结构上部制备电流扩散层，所述电流扩散层与所述P型氮化镓层接触；

在所述电流扩散层上部制备第一电极，在相邻两个所述台面结构之间制备第二电极，所述第一电极与所述电流扩散层接触，所述第二电极与所述N型氮化镓层接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述台面结构上部制备电流扩散层，包括：

在所述台面结构上部制备第一光刻胶层；

对所述第一光刻胶层进行图案化处理，在所述第一光刻胶层中得到第一图案，所述第一图案暴露所述台面结构；

采用磁控溅射或者电子束蒸镀工艺在所述第一光刻胶层上部沉积第一薄膜，所述第一薄膜覆盖所述第一光刻胶层以及通过所述第一光刻胶层暴露的所述台面结构；

去除所述第一光刻胶层以及位于所述第一光刻胶层上的所述第一薄膜，位于所述台面结构一侧的所述第一薄膜为所述电流扩散层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述台面结构上部制备电流扩散层之后，还包括：

对所述电流扩散层进行退火处理。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电流扩散层包括ITO层，所述ITO层的厚度D1为100nm；

或者，所述电流扩散层包括金属层，所述金属层的厚度D2满足10nm≤D2≤20nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述电流扩散层上部制备第一电极，在相邻两个所述台面结构之间制备第二电极，包括：

在所述电流扩散层上部以及相邻两个所述台面结构之间制备第二光刻胶层；

对所述第二光刻胶层进行图案化处理，在所述第二光刻胶层中得到第二图案，所述第二图案暴露所述电流扩散层以及相邻两个所述台面结构之间的区域；

采用磁控溅射或者电子束蒸镀工艺在所述第二光刻胶层上部沉积第二薄膜，所述第二薄膜覆盖所述第二光刻胶层、通过所述第二光刻胶层暴露的所述电流扩散层以及相邻两个所述台面结构之间的区域；

去除所述第二光刻胶层以及位于所述第二光刻胶层上的所述第二薄膜，位于所述电流扩散层上部的所述第二薄膜为所述第一电极，位于相邻两个所述台面结构之间的所述第二薄膜为所述第二电极。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述台面结构的尺寸L满足1μm≤L≤50μm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多量子阱结构的发光光谱为近紫外到红光；

所述基底包括蓝宝石、硅片或氮化镓。

8.一种高效制备Micro-LED芯片的系统，用于制备权利要求1-7任一项所述的一种Micro-LED芯片；其特征在于，所述系统包括：

飞秒激光器，用于出射飞秒激光束；

移动平台，位于承载氮化镓基外延片并带动所述氮化镓基外延片移动；

处理器，与所述飞秒激光器和所述移动平台电连接，用于根据所述氮化镓基外延片中台面阵列的制备位置调节所述飞秒激光束的出射位置和/或所述移动平台的移动位置，以控制所述飞秒激光束在所述氮化镓基外延片中形成所述台面阵列。

9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，所述飞秒激光器还包括位于所述飞秒激光束出射路径上的聚焦透镜；

所述聚焦透镜用于对所述飞秒激光束进行聚焦。