[发明专利]辐射热集体接合器及群体接合器在审
申请号: | 202110702268.X | 申请日: | 2021-06-24 |
公开(公告)号: | CN113851385A | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 王钊文 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王艳娇 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 辐射热 集体 接合 群体 | ||
1.一种半导体裸片堆叠接合工具,其包括:
第一接合头,其经耦合到第一柄且经配置以接触形成在衬底上的裸片堆叠中的最顶部裸片的背侧;
护罩,其经定位成邻近于所述接合头,所述护罩具有带有面向所述接合头的第一内表面的侧壁;及
辐射热源,其经定位在所述第一内表面内部以在远离所述第一内表面的方向上选择性地发射辐射热通量,其中所述辐射热源经配置以将所述辐射热通量引导到所述裸片堆叠的至少一部分以减小所述裸片堆叠中的垂直温度梯度。
2.根据权利要求1所述的半导体裸片堆叠接合工具,其中所述第一接合头将第一传导热通量施加到所述裸片堆叠中的所述最顶部裸片。
3.根据权利要求1所述的半导体裸片堆叠接合工具,其进一步包括第二接合头,所述第二接合头经耦合到第二柄且经配置以接触所述衬底,所述第二接合头与所述第一接合头垂直地对准且经定位在所述衬底的与所述裸片堆叠相对的侧上。
4.根据权利要求3所述的半导体裸片堆叠接合工具,其中所述第一接合头将第一传导热通量施加到所述裸片堆叠中的所述最顶部裸片,且其中所述第二接合头朝向所述裸片堆叠的底部将第二传导热通量施加到所述衬底。
5.根据权利要求1所述的半导体裸片堆叠接合工具,其中所述护罩进一步包括具有开口的上壁,所述第一柄穿过所述开口。
6.根据权利要求5所述的半导体裸片堆叠接合工具,其中所述上壁具有定位在所述第一接合头上方且面向所述第一接合头的第二内表面。
7.根据权利要求6所述的半导体裸片堆叠接合工具,其中所述第一及第二内表面是辐射反射的。
8.根据权利要求7所述的半导体裸片堆叠接合工具,其中所述辐射热源在集体接合或群体接合期间橫向定位在所述裸片堆叠上方,使得所述辐射热通量通过从所述第一及第二内表面中的一或多者反射而流动到所述裸片堆叠的所述部分。
9.根据权利要求1所述的半导体裸片堆叠接合工具,其中所述辐射热源在集体接合或群体接合期间直接定位在所述裸片堆叠侧方,使得所述辐射热通量直接流动到所述裸片堆叠的所述部分。
10.根据权利要求9所述的半导体裸片堆叠接合工具,其进一步包括第二辐射热源,所述第二辐射热源经定位在所述第一接合头侧方或上方且在所述辐射热源上方以在远离所述裸片堆叠的方向上选择性地发射第二辐射热通量以接触所述第一内表面。
11.根据权利要求5所述的半导体裸片堆叠接合工具,其中所述第一柄经耦合到所述上壁,使得所述护罩经配置以与所述第一柄一起移动。
12.一种半导体裸片堆叠接合工具,其包括:
第一接合头,其经耦合到第一柄且经配置以接触形成在衬底上的裸片堆叠中的最顶部裸片的背侧;
第二接合头,其经耦合到第二柄且经配置以接触所述裸片堆叠下面的所述衬底;护罩,其经定位成邻近于所述第一接合头,所述护罩具有带有面向所述第一接合头的第一内表面的侧壁;及
辐射热源,其经定位在所述第一内表面内部以选择性地发射辐射热通量,
其中所述第一及第二接合头经配置以将相对的压缩压力施加到所述裸片堆叠且所述辐射热源经配置以将所述辐射热通量并发地引导到所述裸片堆叠的至少一部分以群体接合所述裸片堆叠。
13.根据权利要求12所述的半导体裸片堆叠接合工具,其中所述第一接合头将第一传导热通量施加到所述裸片堆叠中的所述最顶部裸片,且其中所述第二接合头朝向所述裸片堆叠将第二传导热通量施加到所述衬底。
14.根据权利要求12所述的半导体裸片堆叠接合工具,其中所述护罩进一步包括具有开口的上壁,所述第一柄在所述裸片堆叠的群体接合期间穿过所述开口。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110702268.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:机动车内饰件
- 下一篇:高压接线盒冷却剂挡板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造