[发明专利]硬质掩膜的制备方法及硬质掩膜

权利要求书

1.一种硬质掩膜的制备方法，包括：

提供一硅片；

在所述硅片的上表面生长第一氮化硅层，同时，在所述硅片的下表面生长第二氮化硅层；

在所述第一氮化硅层上生长第一氧化硅层；

采用反应离子刻蚀法刻蚀所述第一氧化硅层和所述第一氮化硅层形成干刻掩膜面；

采用反应离子刻蚀法刻蚀所述第二氮化硅层形成湿刻掩膜面；

在所述干刻掩膜面生长保护层并在所述保护层上涂覆密封层；

在所述湿刻掩膜面刻蚀图形并预留支撑层；

去除所述密封层和所述保护层，在所述干刻掩膜面按照所述图形刻穿所述支撑层，得到所述硬质掩膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在所述硅片的上表面生长第一氮化硅层，同时，在所述硅片的下表面生长第二氮化硅层，包括采用低压化学气相沉积法在所述硅片的上表面生长第一氮化硅层，同时，在所述硅片的下表面生长第二氮化硅层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在所述第一氮化硅层上生长第一氧化硅层，包括采用等离子增强化学气相沉积法在所述第一氮化硅层上生长第一氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层包括第二氧化硅层和第三氮化硅层组成的保护层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二氧化硅层的厚度、所述第三氮化硅层的厚度均为150～350nm。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述密封层包括黑蜡。

7.一种采用权利要求1～6任意一项所述方法制备的硬质掩膜，包括：

硅片、第一氮化硅层、第二氮化硅层、第一氧化硅层；

所述硅片上表面设置所述第一氮化硅层；

所述硅片下表面设置所述第二氮化硅层；

所述第一氮化硅层上表面设置所述第一氧化硅层。

8.根据权利要求7所述的硬质掩膜，其中，

所述硅片的厚度为350～550μm；

所述第一氮化硅层的厚度、所述第二氮化硅层的厚度均为200～400nm；

所述第一氧化硅层的厚度为1～2μm。