[发明专利]管芯电压调节在审

专利信息
申请号: 202110702073.5 申请日: 2021-06-24
公开(公告)号: CN113851156A 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 宋泽尚;S·S·马利克;李贤见;金康永 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14;G11C5/06;G11C5/10
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 管芯 电压 调节
【说明书】:

本申请涉及管芯电压调节。装置可包含第一管芯和第二管芯。在所述第一管芯上生成电压的组件可以通过导电线连接到所述第二管芯上的电容器。所述导电线可允许所述第二管芯上的所述电容器调节由所述第一管芯上的所述组件生成的电压。

交叉引用

本申请要求宋(Song)等人于2020年6月25日提交的题为“管芯电压调节(DIEVOLTAGE REGULATION)”的第63/044,237号美国临时专利申请和于2021年6月3日提交的题为“管芯电压调节”的第17/338,458号美国专利申请的优先权,其每一项均转让给本申请的受让人,并且其每一项明确地通过引用整体并入本文。

技术领域

本技术领域涉及管芯电压调节。

背景技术

存储器装置广泛用于在各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等)中存储信息。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如,可将二进制存储器单元编程为通常由逻辑1或逻辑0表示的两种支持状态中的一者。在一些实例中,单个存储器单元可支持两种以上状态,可以存储其中的任何一种。为了存取所存储的信息,组件可读取或感测存储器装置中的至少一种存储状态。为了存储信息,组件可将状态写入或编程到存储器装置中。

存在各种类型的存储器装置和存储器单元,包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、静态RAM(SRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选择存储器、硫属化物存储器技术等。存储器单元可以是易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如,FeRAM)即使在不存在外部电源的情况下也可以长时间保持其存储的逻辑状态。易失性存储器装置(例如,DRAM)在与外部电源断开连接时可失去其存储状态。

发明内容

描述了一种设备。该设备可包含:第一管芯,其包括经配置以生成供第一管芯使用的电压的组件;第二管芯,其包括易失性存储器,易失性存储器包括存储器单元和与存储器单元隔离的电容器,其中存储器单元包括电容器;以及导电线,其耦合第二管芯的电容器和经配置以生成供第一管芯使用的电压的组件。

描述了一种方法。该方法可包含在布置于第一管芯上的第一组件处生成电压;使用电容器调节电压,电容器通过导电线与第一组件耦合且布置在第二管芯上,第二管芯包括包含电容器的多个存储器单元,其中在电容器与多个存储器单元隔离的情况下调节电压;以及将由电容器调节的电压施加到布置在第一管芯上的一或多个组件。

描述了一种设备。该设备可包含与多个导电垫接触的衬底;布置在衬底上的绝缘材料;第一管芯,其至少部分地由绝缘材料包围且通过第一导电线与多个导电垫中的第一导电垫耦合,第一管芯包括经配置以生成用于第一管芯的电压的组件;第二管芯,其至少部分地由绝缘材料包围且通过第二导电线与多个导电垫中的第二导电垫耦合,第二管芯包括易失性存储器,易失性存储器包括经配置为存储器单元的多个电容器,并且第二管芯包括与多个电容器隔离的电容器;以及第三导电线,其与经配置以生成用于第一管芯和第二管芯的电容器的电压的组件耦合,第二管芯的电容器与经配置为存储器单元的多个电容器隔离。

附图说明

图1图示了根据本文公开的实例的支持管芯电压调节的系统的实例。

图2图示了根据本文公开的实例的支持管芯电压调节的存储器子系统的实例。

图3图示了根据本文公开的实例的支持管芯电压调节的裸片的实例。

图4图示了根据本文公开的实例的支持管芯电压调节的装置的实例。

图5图示了根据本文公开的实例的支持管芯电压调节的装置的实例。

图6示出了根据本公开的方面的支持管芯电压调节的装置的框图。

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