[发明专利]晶元搜索方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质

权利要求书

1.一种晶元搜索方法，其特征在于，包括：

获取晶圆的晶圆图及基准点的第一位置信息，所述晶圆图包含每个晶元的索引参数及位置参数，所述晶圆包括多个所述晶元，所述第一位置信息为所述基准点在扩充蓝膜前的位置信息，所述基准点的数量为多个，每个所述基准点位于蓝膜的位置均不同；

根据所述基准点的第一位置信息、所述索引参数和所述位置参数，生成晶元分布地图，所述晶元分布地图包括每个所述晶元相对于所述基准点的位置分布信息；

根据所述第一位置信息和第二位置信息，确定出扩充蓝膜前后的第一基准点距离变化量，所述第二位置信息为所述基准点在扩充蓝膜后的位置信息；

根据所述第一基准点距离变化量对所述晶元分布地图进行修正，得到修正后的晶元分布地图；

根据所述修正后的晶元分布地图和执行设备的当前位置，确定最优路径和待吸取晶元，所述最优路径为所述执行设备从所述当前位置到所述待吸取晶元的位置的最短路径，所述执行设备用于吸取晶元。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述晶圆图还包含测试参数；所述方法还包括：

根据所述测试参数剔除不符合预设条件的晶元，得到良品晶元；

根据所述基准点的第一位置信息、所述索引参数和所述位置参数，生成晶元分布地图，包括：

根据所述第一位置信息、所述良品晶元对应的所述索引参数和所述位置参数，生成所述晶元分布地图。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：根据所述第一基准点距离变化量对所述晶元分布地图进行修正，得到修正后的晶元分布地图，包括：

根据所述第一基准点距离变化量，确定相邻所述晶元之间的距离变化量，得到晶元距离变化量；

根据所述晶元距离变化量，修正所述晶元分布地图。

4.如权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于：确定最优路径和待吸取晶元之后，还包括：

根据所述第二位置信息及第三位置信息，确定出吸取晶元前后的第二基准点距离变化量，所述第三位置信息为所述基准点在吸取晶元后的位置信息；

根据所述第二基准点距离变化量，对所述晶元分布地图进行修正，得到修正后的晶元分布地图。

5.如权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于：确定最优路径和待吸取晶元之后，还包括：

获取在固晶点处所述执行设备的第一传感器状态及固晶点图像；

根据所述第一传感器状态及所述固晶点图像，确定已吸取晶元的生产状态；

根据所述生产状态，在所述晶元分布地图中剔除所述已吸取晶元对应的数据，并更新所述生产状态的显示。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：获取固晶点处所述执行设备的第一传感器状态和固晶点图像之前，还包括：

获取在所述当前位置处的所述执行设备的第二传感器状态及晶元图像；

根据所述第二传感器状态及晶元图像，确定所述执行设备是否吸取成功；

若吸取成功，则进入获取固晶点处所述执行设备的第一传感器状态及固晶点图像的步骤。

7.一种晶元搜索装置，其特征在于，包括：

获取单元，用于获取晶圆的晶圆图及基准点的第一位置信息，所述晶圆图包含每个晶元的索引参数及位置参数，所述晶圆包括多个所述晶元，所述第一位置信息为所述基准点在扩充蓝膜前的位置信息，所述基准点的数量为多个，每个所述基准点位于蓝膜的位置均不同；

生成单元，用于根据所述基准点的第一位置信息、所述索引参数和所述位置参数，生成晶元分布地图，所述晶元分布地图包括每个所述晶元相对于所述基准点的位置分布信息；

根据所述第一位置信息和第二位置信息，确定出扩充蓝膜前后的第一基准点距离变化量，所述第二位置信息为所述基准点在扩充蓝膜后的位置信息；

修正单元，用于根据所述第一基准点距离变化量对所述晶元分布地图进行修正，得到修正后的晶元分布地图；

搜索单元，用于根据所述修正后的晶元分布地图和执行设备的当前位置，确定最优路径和待吸取晶元，所述最优路径为所述执行设备从所述当前位置到所述待吸取晶元的位置的最短路径，所述执行设备用于吸取晶元。