[发明专利]一种三余度薄膜压力传感器在审
| 申请号： | 202110700501.0 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113432764A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 王立会;邓杨 | 申请（专利权）人： | 广州市智芯禾科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理有限公司 11368 | 代理人： | 李世端 |
| 地址： | 510700 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三余度 薄膜 压力传感器 | ||
1.一种三余度薄膜压力传感器，包括：基座(31)，其特征在于，所述基座(31)边缘上侧设有支架(33)，所述支架(33)内部设有不锈钢敏感芯片(32)，所述支架(33)上表面设有PCB信号转接板(38)，所述PCB信号转接板(38)通过金丝引线(39)与所述不锈钢敏感芯片(32)连接，所述PCB信号转接板(38)上部通过AF导线(37)与接插件(36)连接，所述接插件(36)设在罩在所述PCB信号转接板(38)外面的外壳(34)上。
2.根据权利要求1所述的一种三余度薄膜压力传感器，其特征在于，所述不锈钢敏感芯片(32)包括基底(21)，所述基层(21)上边设有绝缘层(22)，所述绝缘层(22)上部设有应变电阻层(23)，所述应变电阻层(23)上部边缘设有电极层(24)，所述电极层(24)内侧设有保护层(25)。
3.根据权利要求2所述的一种三余度薄膜压力传感器，其特征在于，所述应变电阻层(23)包括三个惠斯通电桥，分别为惠斯通电桥一(11)、惠斯通电桥二(12)、惠斯通电桥三(13)，所述惠斯通电桥一(11)、惠斯通电桥二(12)、惠斯通电桥三(13)的结构相同。
4.根据权利要求3所述的一种三余度薄膜压力传感器，其特征在于，所述惠斯通电桥一(11)、惠斯通电桥二(12)、惠斯通电桥三(13)的中心设置有芯片，所述惠斯通电桥一(11)、惠斯通电桥二(12)、惠斯通电桥三(13)之间的夹角为120度。
5.根据权利要求4所述的一种三余度薄膜压力传感器，其特征在于，所述惠斯通电桥一(11)包括输入负电极(19)，所述输入负电极(19)远离所述芯片的一端通过电阻R3(16)与输出负电极(111)连接，所述输入负电极(19)距离所述芯片近的一端通过电阻R4(17)与所述输出负电极(111)连接，所述输出负电极(111)距离所述芯片近的一端通过电阻R2(15)与输入正电极(18)连接，所述输入正电极(18)远离所述芯片的一端通过电阻R1(14)与输出正电极(110)连接，所述输入正电极(18)距离所述芯片近的一端通过电阻R4(17)与输出正电极(110)连接。
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