[发明专利]OLED显示面板、显示装置在审
申请号: | 202110697608.4 | 申请日: | 2021-06-23 |
公开(公告)号: | CN113284936A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 李泽宇;闫灏;张铭炯;谢涛峰;叶凯 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 显示装置 | ||
本公开涉及显示技术领域,提出一种OLED显示面板、显示装置,该OLED显示面板包括显示层、偏光片、盖板层,偏光片位于显示层的显示侧;盖板层位于偏光片背离显示层的一侧;其中,偏光片包括至少一功能层,功能层为导电结构,功能层的方块电阻为105Ω/sq‑1011Ω/sq。该OLED显示面板能够通过偏光片中的导电功能层吸收静电,从而改善OLED显示面板的显示效果。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板、显示装置。
背景技术
现有技术中,OLED显示面板在使用过程中容易产生静电,该静电容易造成OLED显示面板中电路异常驱动,从而导致OLED显示面板显示异常。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
根据本公开的一个方面,提供一种OLED显示面板,所述OLED显示面板包括显示层、偏光片、盖板层,偏光片位于显示层的显示侧;盖板层位于偏光片背离显示层的一侧;其中,偏光片包括至少一功能层,功能层为导电结构,功能层的方块电阻为105Ω/sq-1011Ω/sq。
本公开一种示例性实施例中,所述功能层包括导电涂层,所述偏光片还包括:衬底基板、线偏振片、相位差层,线偏振片位于所述衬底基板的一侧;相位差层位于所述线偏振片背离所述衬底基板的一侧;所述导电涂层位于所述衬底基板的一侧。
本公开一种示例性实施例中,所述导电涂层的厚度小于等于1um。
本公开一种示例性实施例中,所述导电涂层的材料包括金属和无机盐,所述金属掺杂于所述无机盐中。
本公开一种示例性实施例中,所述导电涂层位于所述线偏振片和所述衬底基板之间;或,所述导电涂层位于所述线偏振片和所述相位差层之间;或,所述导电涂层位于所述相位差层背离所述衬底基板的一侧;或,所述导电涂层位于所述衬底基板背离所述线偏振片的一侧。
本公开一种示例性实施例中,所述偏光片还包括:第一保护层、第二保护层、粘结层,第一保护层位于所述衬底基板和所述线偏振片之间;第二保护层位于所述线偏振片和所述相位差层之间;粘结层位于所述相位差层背离所述衬底基板的一侧。所述导电涂层位于所述第一保护层和所述衬底基板之间;或,所述导电涂层位于所述第一保护层和所述线偏振片之间;或,所述导电涂层位于所述线偏振片和所述第二保护层之间;或,所述导电涂层位于所述第二保护层和所述相位差层之间;或,所述导电涂层位于所述相位差层和所述粘结层之间;或,所述导电涂层位于所述衬底基板背离所述线偏振片的一侧。
本公开一种示例性实施例中,所述功能层包括衬底基板,所述偏光片还包括:线偏振片、相位差层,线偏振片位于所述衬底基板的一侧;相位差层位于所述线偏振片背离所述衬底基板的一侧。
本公开一种示例性实施例中,所述功能层包括线偏振片,所述偏光片还包括:衬底基板、相位差层,所述线偏振片位于所述衬底基板的一侧;相位差层位于所述线偏振片背离所述衬底基板的一侧。
本公开一种示例性实施例中,所述功能层包括相位差层,所述偏光片还包括:衬底基板、线偏振片,线偏振片位于所述衬底基板的一侧;所述相位差层位于所述线偏振片背离所述衬底基板的一侧。
本公开一种示例性实施例中,所述功能层包括第一保护层,所述偏光片还包括:衬底基板、线偏振片、相位差层,线偏振片位于所述衬底基板的一侧;相位差层位于所述线偏振片背离所述衬底基板的一侧;所述第一保护层位于所述衬底基板和所述线偏振片之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的