[发明专利]一种多层RDL去层工艺在审
| 申请号： | 202110696714.0 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113510538A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 高峰;李苏佼;陈景亮;叶金明;戴伟峰 | 申请（专利权）人： | 闳康技术检测（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;C23F1/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多层 rdl 工艺 | ||
1.一种多层RDL去层工艺，其特征在于，
包括如下步骤：
步骤S1.对覆盖层(1)进行研磨直至完全露出bump 层(2)；
步骤S2.对bump 层(2)进行打磨，直至打磨RDL3层(3)；
步骤S3.去除RDL3表面的有机层(31)，露出位于有机层(31)下方的的走线层(32)；
步骤S4.去除走线层(32)上布置的铜走线；
步骤S5.对barrier层(4)进行研磨、抛光处理；
步骤S6.重复以上步骤对位于barrier层(4)下方的RDL2层(5)和RDL1层(6)进行研磨处理，直至研磨至die层(7)。
2.根据权利要求1所述的一种多层RDL去层工艺，其特征在于，步骤S1中，将带有多层RDL的PCB板置于底板上，在PCB板与底板的连接处涂覆热熔胶，并对覆盖层(1)进行打磨处理。
3.根据权利要求1所述的一种多层RDL去层工艺，其特征在于，步骤S2中，采用细水砂纸将bump 层(2)上的锡球(21)打磨，并收集打磨后的锡粉末。
4.根据权利要求1所述的一种多层RDL去层工艺，其特征在于，步骤S3具体包括：
S31.去除 RDL3层(3)表面的有机层(31)；
S32.测量有机层(31)与走线层(32)之间的距离；
S33.研磨至走线层(32)立即停止。
5.根据权利要求4所述的一种多层RDL去层工艺，其特征在于，步骤S32中，采用图像采集设备采集RDL3层(3)的打磨进程，图像采集设备采集到研磨器研磨至走线层(32)时发出提示预警。
6.根据权利要求1所述的一种多层RDL去层工艺，其特征在于，步骤S4中，由盐酸、硫酸、硝酸按重量比1:(0.8-1.2):(1.0-1.2)混合组成混合酸溶液；
将混合酸溶液滴入走线层(32)，静置一段时间使混合酸溶液与铜走线充分反应，去除残留的混合酸溶液。
7.根据权利要求1所述的一种多层RDL去层工艺，其特征在于：所述barrier层(4)由氮化钛制成。
8.根据权利要求1所述的一种多层RDL去层工艺，其特征在于：步骤S5中，采用研磨盘对barrier层(4)进行打磨，并在打磨后的barrier层(4)上涂覆抛光剂，再进行精抛。
9.根据权利要求1所述的一种多层RDL去层工艺，其特征在于，步骤S6中，对die层(7)进行清洁。
10.根据权利要求1所述的一种多层RDL去层工艺，其特征在于：研磨结束后，对底板进行升温使得热熔胶溶化，将PCB板自底板上脱离。
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