[发明专利]一种忆阻器加载多频段可调谐宽带电磁兼容吸波结构

权利要求书

1.一种忆阻器加载多频段可调谐宽带电磁兼容吸波结构，其特征在于包括介质层（1）、有源忆阻器加载频率选择表面（2）、泡沫层（3）和金属层（4）；所述有源忆阻器加载频率选择表面（2）包括若干个呈阵列分布的导电单元，该导电单元包括加载直流馈电网络及电连接于该加载直流馈电网络正负极间的忆阻器加载导电单元，所述忆阻器加载导电单元由若干忆阻器加载电路并联而成；

所述的导电单元中，加载直流馈电网络和忆阻器加载导电单元组成一个对称图形，忆阻器加载单元的线宽大于加载直流馈电网络的线宽，忆阻器加载导电单元上忆阻器的布置方向一致或者相反；

所述的有源忆阻器加载频率选择表面（2），具体包括正方形环有源忆阻器加载频率选择表面（5）；正方形环有源忆阻器加载频率选择表面（5）包括N*M个正方形环及馈电导电单元（6）；正方形环有源忆阻器加载频率选择表面（5）的一端连接负极取电，正方形环有源忆阻器加载频率选择表面（5）的另一端连接正极取电；正方形环及馈电导电单元（6）包括第一正方形环忆阻器（7a）、第二正方形环忆阻器（7b）、第三正方形环忆阻器（7c）、第四正方形环忆阻器（7d）、第一正方形环扼流电感（8a）、第二正方形环扼流电感（8b）、第三正方形环扼流电感（8c）和第四正方形环扼流电感（8d）；第一正方形环忆阻器（7a）、第二正方形环忆阻器（7b）、第三正方形环忆阻器（7c）和第四正方形环忆阻器（7d）组成正方形环；第一正方形环忆阻器（7a）的一端、第二正方形环忆阻器（7b）的一端、第一正方形环扼流电感（8a）的一端和第二正方形环扼流电感（8b）的一端相互连接，第一正方形环忆阻器（7a）的另一端连接第三正方形环忆阻器（7c）的一端，第二正方形环忆阻器（7b）的另一端连接第四正方形环忆阻器（7d）的一端，第一正方形环扼流电感（8a）的另一端连接其他的正方形环及馈电导电单元并供电，第二正方形环扼流电感（8b）的另一端连接其他的正方形环及馈电导电单元或电源正极并取电；第三正方形环忆阻器（7c）的另一端、第四正方形环忆阻器（7d）的另一端、第三正方形环扼流电感（8c）的一端和第四正方形环扼流电感（8d）的一端相互连接，第三正方形环扼流电感（8c）的另一端连接其他的正方形环及馈电导电单元或电源负极并取电，第四正方形环扼流电感（8d）的另一端连接其他的正方形环及馈电导电单元并供电；正方形环及馈电导电单元（6）为对称结构；第一正方形环忆阻器（7a）、第二正方形环忆阻器（7b）、第三正方形环忆阻器（7c）和第四正方形环忆阻器（7d）在直流馈电网络施加的不同偏压下具有不同大小的电阻时，不同大小的电阻会改变结构在不同频段的输入阻抗，从而使反射率的频率响应随忆阻器不同偏压变化而调控；第一正方形环扼流电感（8a）、第二正方形环扼流电感（8b）、第三正方形环扼流电感（8c）和第四正方形环扼流电感（8d）用于分离直流回路和交流感应电流回路。

2.根据权利要求1所述的忆阻器加载多频段可调谐宽带电磁兼容吸波结构，其特征在于所述的介质层（1）采用高介电常数板。

3.根据权利要求2所述的忆阻器加载多频段可调谐宽带电磁兼容吸波结构，其特征在于所述的有源忆阻器加载频率选择表面（2）中，导电单元喷印在柔性膜介质衬底上，并采用导电材料，导电材料包括铜、铝或碳。

4.根据权利要求3所述的忆阻器加载多频段可调谐宽带电磁兼容吸波结构，其特征在于所述的柔性膜介质衬底采用耐温薄膜，所述的耐温薄膜包括PET膜、PEN膜、PES膜或PI膜。

5.根据权利要求4所述的忆阻器加载多频段可调谐宽带电磁兼容吸波结构，其特征在于所述的泡沫层（3）采用低密度低介电常数发泡材料。

6.根据权利要求5所述的忆阻器加载多频段可调谐宽带电磁兼容吸波结构，其特征在于所述的低密度低介电常数发泡材料包括PMI。

7.根据权利要求6所述的忆阻器加载多频段可调谐宽带电磁兼容吸波结构，其特征在于所述的扼流电感（8）采用贴片型电感，用于分离直流回路和交流感应电流回路。