[发明专利]基准电压控制装置、方法及电子设备

说明书

本发明公开了一种基准电压控制装置、方法及电子设备，该装置包括：分压单元，用于采样基准电压发生单元的输出电压，得到第一分压电压和第二分压电压；第一采样电容，用于采样第一分压电压，得到第一采样电压；第二采样电容，用于采样第二分压电压，得到第二采样电压；将第一采样电压与第二采样电压中电压变化速率小的采样电压作为基准参考电压；比较单元，用于根据第一采样电压及第二采样电压输出比较信号，控制基准电压发生单元启动或者停止工作，并控制第一开关及第二开关导通或者关断。本发明设置多个采样电容，通过调整不同采样电容的漏电流，将基准电压维持在较小的波动范围内，降低静态功耗，提高基准电压精度，改善控制效果。

技术领域

本发明涉及电力电子技术领域，尤其涉及一种基准电压控制装置、方法及电子设备。

背景技术

基准电压源是用于提供基准电压的装置，在线性稳压电路及开关电源等电子设备中，将基准电压源提供的基准电压与实时采样电压进行比较，生成用于调节输出电压的反馈控制信号。因此，基准电压源的基准电压精度和功耗至关重要。

目前，为了最大限度降低基准电压源的静态功耗，通常采用采样并保持的方法，其基本原理在于，在正常状态下，基准电压源工作，输出基准电压，并通过电容采样该电压值；在空闲状态下，基准电压源停止工作，不再输出基准电压，也不再消耗任何电流，同时，断开采样电容与基准电压源之间的开关，以使采样电容仍然保持切断之前的基准电压，以供其他电路使用，其存在以下问题：

在现有技术中，采样电容与基准电压源之间的开关通常采用绝缘栅型场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)，在MOSFET开关管处于关断状态时，源极与漏极之间存在电压差，产生漏电流，如果MOSFET开关管长时间关断，则会导致采样电容上的采样电压产生偏移，例如，在1秒钟的时间内，10fA的漏电流会导致1pF电容上电压偏移10mV，导致基准电压失准，在恢复基准电压时，基准电压源消耗的电流较大，导致基准电压源功耗增加。

发明内容

本发明提供一种基准电压控制装置，解决了现有的基准电压源功耗较大的问题，有利于缩短基准电压源空闲状态下的工作时间，降低静态功耗。

第一方面，本发明实施例提供了一种基准电压控制装置，包括：基准电压发生单元、分压单元、第一采样单元、第二采样单元和比较单元，其中，所述第一采样单元包括第一采样电容和第一开关，所述第二采样单元包括第二采样电容和第二开关；所述分压单元用于采样所述基准电压发生单元的输出电压，所述分压单元设有第一采样节点和第二采样节点，所述第一采样节点的第一分压电压低于所述第二采样节点的第二分压电压；所述第一采样电容通过所述第一开关与所述第一采样节点电连接，所述第一采样电容用于采样所述第一分压电压，得到第一采样电压；所述第二采样电容通过所述第二开关与所述第二采样节点电连接，所述第二采样电容用于采样所述第二分压电压，得到第二采样电压；所述第一采样电压的电压变化速率与所述第二采样电压的电压变化速率之间的差值大于预设差值阈值，所述第一采样电压与所述第二采样电压中电压变化速率小的采样电压为基准参考电压；所述比较单元用于根据所述第一采样电压及所述第二采样电压输出比较信号，所述比较信号用于控制所述基准电压发生单元启动或者停止工作，并控制第一开关及第二开关导通或者关断。

可选地，所述第一采样电容的第一采样电容值大于或者小于所述第二采样电容的第二采样电容值。

可选地，所述第一开关的尺寸小于或者大于所述第二开关的尺寸。

可选地，所述基准电压控制装置还包括延时驱动电路，所述延时驱动电路用于根据所述比较信号延时控制所述第一开关及所述第二开关开通或者关断。