[发明专利]简化的高容量管芯和块管理在审
| 申请号: | 202110695640.9 | 申请日: | 2021-06-22 |
| 公开(公告)号: | CN115080466A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
| 发明(设计)人: | H·德兰;D·拉詹迪兰;C·丁恩 | 申请(专利权)人: | 西部数据技术公司 |
| 主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16;G06F12/1027 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 李英 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 简化 容量 管芯 管理 | ||
本发明题为“简化的高容量管芯和块管理”。本公开提供了包括存储器和控制器的存储设备的各个方面,这些方面通过允许将逻辑元管芯映射到多个物理元管芯来简化逻辑元管芯和物理元管芯以及逻辑元块和物理元块的控制器管理。该存储器包括分组在第一物理元管芯中的第一管芯和分组在第二物理元管芯中的第二管芯。这些物理元管芯各自包括物理元块。该控制器将逻辑元管芯映射到该第一物理元管芯和该第二物理元管芯。该控制器还可将该逻辑元管芯的逻辑元块映射到这些物理元块。例如,该控制器可将该逻辑元管芯的第一逻辑元块与该第一物理元管芯相关联,并且将该逻辑元管芯的第二逻辑元块与该第二物理元管芯相关联。因此,与一对一逻辑到物理元管芯映射方法相比,管理元管芯和元块中的固件复杂度可降低。
背景技术
技术领域
本公开整体涉及电子设备,并且更具体地涉及存储设备。
存储设备使得用户能够存储和检索数据。存储设备的示例包括非易失性存储器设备。非易失性存储器通常在功率循环之后保留数据。非易失性存储器的示例是闪存存储器,其可以包括一个或多个管芯上的NAND单元阵列。闪存存储器可存在于固态设备(SSD)、安全数字(SD)卡等中。
闪存存储设备可存储与数据相关联的控制信息。例如,闪存存储设备可维护控制表,该控制表包括逻辑地址到物理地址的映射。该控制表用于跟踪逻辑扇区或块在闪存存储器中的物理位置。控制表存储在非易失性存储器中,以使得能够在功率循环之后访问存储的数据。
闪存存储设备可包括闪存存储器的存储数据的许多块。多个块可包含在管芯内,并且闪存存储设备可包括许多管芯。此外,闪存存储设备可包括多个信道,数据可通过该多个信道载送到管芯和从管芯载送。例如,典型的高容量闪存存储设备可包括四个或更多个信道,其中每个信道耦接到一个或多个NAND封装或芯片,每个NAND封装或芯片包括多个管芯。因此,闪存存储设备可同时在多个块或管芯中读取或写入数据。
发明内容
本文公开了存储设备的一个方面。该存储设备包括存储器和控制器。该存储器包括多个物理元管芯,其中每个物理元管芯包括多个管芯,其中物理元管芯中的同一个物理元管芯中的管芯中的每个管芯耦接到不同信道,并且其中物理元管芯中的同一个物理元管芯中的管芯中的两个或更多个管芯包括不同数量的块。该控制器被配置为将逻辑元管芯映射到物理元管芯,其中耦接到信道中的一个信道的管芯中的块的总数与耦接到信道中的另一个信道的管芯中的块的总数相同。
本文公开了存储设备的另一个方面。该存储设备包括存储器和控制器。该存储器包括多个物理元管芯,每个物理元管芯包括多个物理元块。该控制器被配置为将逻辑元管芯的逻辑元块映射到物理元块,其中逻辑元块中的一个逻辑元块与物理元管芯中的两个或更多个物理元管芯中的块相关联。
本文公开了存储设备的另一方面。该存储设备包括存储器和控制器。该存储器包括多个物理元管芯,每个物理元管芯具有多个管芯,其中物理元管芯中的每个物理元管芯包括多个物理元块,并且其中管芯中的每个管芯耦接到信道并且包括多个块。该控制器被配置为将逻辑元管芯映射到物理元管芯;将逻辑元管芯的逻辑元块映射到物理元块,其中逻辑元块中的第一个逻辑元块与物理元管芯中的一个物理元管芯相关联,并且逻辑元块中的第二个逻辑元块与物理元管芯中的两个或更多个物理元管芯相关联。该控制器被进一步配置为从块中的第一个块识别逻辑元块中的第一个逻辑元块,并且从块中的第二个块识别逻辑元块中的第二个逻辑元块。
应当理解,根据以下具体实施方式,存储设备的其他方面对于本领域技术人员而言将变得显而易见,其中,通过图示的方式示出和描述装置和方法的各个方面。如将认识到的,这些方面可以其他和不同的形式实现,并且其若干细节能够在各种其他方面进行修改。因此,附图和具体实施方式本质上被认为是例示性的而不是限制性的。
附图说明
现在将参考附图以举例的方式而非限制的方式在具体实施方式中呈现本发明的各个方面,其中:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西部数据技术公司,未经西部数据技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110695640.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置
- 下一篇:高轴径向出力的滚柱减速机构





