[发明专利]一种多通道大面积高密度直流电弧等离子体源在审
| 申请号: | 202110695553.3 | 申请日: | 2021-06-23 |
| 公开(公告)号: | CN113382525A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
| 发明(设计)人: | 丁洪斌;石劼霖;李裕;王勇;李聪;冯春雷 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
| 主分类号: | H05H1/48 | 分类号: | H05H1/48;H05H1/02 |
| 代理公司: | 大连大工智讯专利代理事务所(特殊普通合伙) 21244 | 代理人: | 崔雪 |
| 地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 通道 大面积 高密度 直流 电弧 等离子体 | ||
1.一种多通道大面积高密度直流电弧等离子体源,其特征在于,包括:阴极、阴极座、阳极和级联片单元,所述阴极固定于阴极座上,所述级联片单元设置在阴极座与阳极之间,所述级联片单元包括多个平行叠置的级联片;所述阴极座与级联片之间,相邻级联片之间,级联片与阳极间设置有绝缘件和真空密封橡胶圈;所述阴极座、级联片和阳极分别配合的设置有多个通孔,每个通孔与阴极1连通,构成放电通道,每个放电通道具有独立的进气通道。
2.根据权利要求1所述多通道大面积高密度直流电弧等离子体源,其特征在于,所述级联片单元包括3-9个平行设置的级联片。
3.根据权利要求1所述多通道大面积高密度直流电弧等离子体源,其特征在于,所述阴极为由纯钨或其合金制成,纯钨或其合金外由不锈钢外壳密封。
4.根据权利要求1所述多通道大面积高密度直流电弧等离子体源,其特征在于,所述阴极座、级联片和阳极的材料为铜或钢,放电通道内与等离子体接触处材料为钨、钼或其合金。
5.根据权利要求1所述多通道大面积高密度直流电弧等离子体源,其特征在于,所述绝缘件材料为绝缘陶瓷或聚四氟乙烯。
6.根据权利要求1所述多通道大面积高密度直流电弧等离子体源,其特征在于,所述阴极座和级联片为圆柱形,所述阳极为开口逐渐增大的喇叭形。
7.根据权利要求1所述多通道大面积高密度直流电弧等离子体源,其特征在于,所述放电通道为7个时,所述阴极座、级联片和阳极上的七个放电通道为点-圆分布,即周围六个通道分别位于一正六边形的六个顶点。
8.根据权利要求1所述多通道大面积高密度直流电弧等离子体源,其特征在于,所述阴极座、级联片和阳极内部设置水冷通道,每个部件的水冷通道彼此独立。
9.根据权利要求1所述多通道大面积高密度直流电弧等离子体源,其特征在于,所述每个放电通道在靠近阴极位置分别具有独立的进气管道。
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