[发明专利]一种NAND闪存的数据读取方法、装置及NAND闪存系统在审
申请号: | 202110694978.2 | 申请日: | 2021-06-22 |
公开(公告)号: | CN113393883A | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 杜亚娟;高圆 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08;G11C16/26 |
代理公司: | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人: | 徐小洋 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 nand 闪存 数据 读取 方法 装置 系统 | ||
1.一种NAND闪存的数据读取方法,其特征在于,包括:
通过第一预设电压对NAND闪存中的多个存储单元进行硬解码,并获得第一电压状态;
当所述硬解码不成功时,通过第二预设电压对NAND闪存中的多个存储单元进行第一次软解码,并获得第二电压状态;
当所述第一次软解码不成功时,根据所述第一电压状态和所述第二电压状态确定所述NAND闪存中的多个存储单元中处于所述第一电压状态和所述第二电压状态之间的存储单元的个数;
根据所述个数确定解码等级;
根据所述解码等级选取粗粒度解码或细粒度解码对所述NAND闪存中的多个存储单元进行第二次软解码;
若所述第二次软解码成功,则经过所述第二次软解码后的解码数据为所述NAND闪存的读取数据。
2.根据权利要求1所述的NAND闪存的数据读取方法,其特征在于,所述根据所述解码等级选取粗粒度解码或细粒度解码对所述NAND闪存中的多个存储单元进行第二次软解码包括:
若所述解码等级大于2,则选取所述粗粒度解码对所述NAND闪存中的多个存储单元进行第二次软解码;
若所述解码等级等于2,则选取所述细粒度解码对所述NAND闪存中的多个存储单元进行第二次软解码。
3.根据权利要求2所述的NAND闪存的数据读取方法,其特征在于,所述选取所述粗粒度解码对所述NAND闪存中的多个存储单元进行第二次软解码包括:
根据所述解码等级确定第三预设电压组,所述第三预设电压组包括电压值不相同的多个第三预设电压;
将所述多个第三预设电压依次施加到所述多个存储单元上,获得所述多个存储单元的第一感应数值;
将所述多个存储单元的第一感应数值传输至解码器;
通过所述解码器对所述多个存储单元的感应数值进行第二次软解码。
4.根据权利要求3所述的NAND闪存的数据读取方法,其特征在于,所述选取所述细粒度解码对所述NAND闪存中的多个存储单元进行第二次软解码包括:
确定第四预设电压,并将所述第四预设电压施加到所述多个存储单元上,获得所述多个存储单元的第二感应数值;
将所述多个存储单元的第二感应数值传输至解码器;
通过所述解码器对所述多个存储单元的第二感应数值进行第二次软解码。
5.根据权利要求4所述的NAND闪存的数据读取方法,其特征在于,所述将所述多个存储单元的第一感应数值传输至解码器具体为:
将所述多个存储单元的第一感应数值增量传输至解码器;
所述将所述多个存储单元的第二感应数值传输至解码器具体为:
将所述多个存储单元的第二感应数值增量传输至解码器。
6.根据权利要求4所述的NAND闪存的数据读取方法,其特征在于,所述第一预设电压、所述第二预设电压、所述第三预设电压和所述第四预设电压的电压值均不相同。
7.根据权利要求1所述的NAND闪存的数据读取方法,其特征在于,最大解码等级为7。
8.根据权利要求1所述的NAND闪存的数据读取方法,其特征在于,所述存储单元为多级存储单元MLC、三级存储单元TLC或四级存储单元QLC中的任意一种。
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