[发明专利]含氰基结构的芳香二胺单体及其制备方法、聚酰亚胺、聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种含氰基结构的芳香二胺单体，具有如式Ⅳ所示的化学结构：

所述式Ⅳ中的R₁、R₂独立地为氰基。

2.权利要求1所述含氰基结构的芳香二胺单体的制备方法，包括以下步骤：

(1)将具有式I所示结构的化合物和具有式Ⅱ所示结构的化合物、碱性化合物和极性溶剂混合，亲核取代反应得到具有式Ⅲ所示结构的中间体；

所述式I、Ⅱ和Ⅲ中的R₁、R₂独立地为氰基；

(2)将所述步骤(1)得到的具有式Ⅲ所示结构的中间体进行还原反应，得到具有式Ⅳ所示结构的含氰基结构的芳香二胺单体；

所述式Ⅳ中的R₁、R₂独立地为氰基。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的具有式I所示结构的化合物、具有式Ⅱ所示结构的化合物和碱性化合物的物质的量之比为1：(1～2.5)：(1～1.5)。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的亲核取代反应的温度为120～180℃，亲核取代反应的时间为20～36h。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的还原反应的温度为40～60℃，还原反应的时间为8～10h。

6.一种含氰基结构的聚酰亚胺，具有如式Ⅴ所示的化学结构：

所述式Ⅴ中的n为100～10000；

所述式Ⅴ中的R₁、R₂独立地为氰基；

所述式Ⅴ中的Ar为

中的一种或多种。

7.一种含氰基结构的聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括以下步骤：

(1)将权利要求1所述含氰基结构的芳香二胺单体、二酐单体和有机溶剂混合，缩聚反应得到聚酰胺酸溶液；

(2)将所述步骤(1)得到的聚酰胺酸溶液流延到基板上，热酰胺化处理得到聚酰亚胺薄膜。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的含氰基结构的芳香二胺单体和二酐单体的物质的量之比为1:(0.8～1.2)。

9.权利要求7或8所述制备方法制备的聚酰亚胺薄膜。

10.权利要求9所述含氰基结构的聚酰亚胺薄膜在电介质材料中的应用。