[发明专利]一种基于氧化镍的宽温域高精度温度传感器及其制备方法有效
申请号: | 202110690804.9 | 申请日: | 2021-06-22 |
公开(公告)号: | CN113405688B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 邓元;吴思程;张珂;俞佳杰 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学杭州创新研究院 |
主分类号: | G01K7/22 | 分类号: | G01K7/22 |
代理公司: | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人: | 王金凤 |
地址: | 310000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 氧化 宽温域 高精度 温度传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于氧化镍的宽温域高精度温度传感器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)浆料配制:
分别称取氧化镍粉末、成膜剂、表面活性剂和溶剂,经超声分散后,得到氧化镍浆料;
所述成膜剂为聚酰亚胺溶液、乙基纤维素、聚甲基丙烯酸甲酯中的一种或多种的组合;
所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵、十二烷基硫酸钠中的一种或两种的组合;
氧化镍与成膜剂的质量之比为0.1-0.9:1;氧化镍与表面活性剂的质量之比为1:0-0.1;
(2)温度敏感层制备:
取基底,先进行预处理,再将所述氧化镍浆料均匀涂敷于所述基底上,加热固化后,制得温度敏感层;
(3)叉指电极的制备
在步骤(2)所述温度敏感层的上面制备电极;
(4)PDMS封装
将PDMS旋涂在步骤(3)所得电极的上面,固化后,即得所述温度传感器。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺中的一种或两种的组合。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,氧化镍与溶剂的质量比为1:0.5-5。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述基底为刚性基底或柔性基底;
所述刚性基底包括氮化铝、氧化硅、玻璃中的一种或多种的组合;所述柔性基底为PI、PET中的一种或两种的组合。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,在步骤(4)进行PDMS封装之前,还包括剥离的步骤,以将基底剥离出来;所述剥离的具体操作为:
将步骤(3)制备电极后的器件置于去离子水中浸泡,直至器件与基底脱附。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述加热固化为:先在60-90℃加热1h,再在120-180℃加热1h后,完成固化。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,制备电极的方法采用金属蒸镀、刮涂或磁控溅射中的任一种;
电极材料为银、钛、铜、金、铂中的任一种;
所述电极的厚度为10nm-10um。
8.权利要求1-7任一项所述制备方法制备得到的宽温域高精度温度传感器。
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