[发明专利]MZ型光强度调制器总成及制备方法

权利要求书

1.一种MZ型光强度调制器总成，包括MZ型光强度调制器，所述MZ型光强度调制器包括芯片以及固定于所述芯片上的波导组件和多个偏置电极，其特征在于，还包括：

交换波导，所述交换波导设置于所述波导组件的输出直波导的至少一侧，且内嵌于所述芯片表面；

光栅组件，所述光栅组件与所述交换波导一一对应，且与所述交换波导背向所述芯片的一侧表面固定连接；

光电探测器，所述光电探测器与一个所述光栅组件固定连接；

控制器，所述控制器的输入端与所述光电探测器的输出端通信连接，以接收所述光电探测器输出的电流数据，所述控制器的输出端与所述偏置电极的被控端通信连接，以根据所述电流数据的变化控制调整所述偏置电极的偏置电压。

2.根据权利要求1所述的MZ型光强度调制器总成，其特征在于，还包括：

封装盒，所述MZ型光强度调制器、所述交换波导、所述光栅组件与所述光电探测器均设置于所述封装盒内。

3.根据权利要求2所述的MZ型光强度调制器总成，其特征在于，还包括：

引针，所述引针贯穿所述封装盒，所述引针的相对两端分别与所述光电探测器的输出端以及所述控制器的输入端通信连接。

4.根据权利要求1-3任一项所述的MZ型光强度调制器总成，其特征在于：

所述交换波导在背向所述芯片的一侧表面通过刻蚀获取所述光栅组件。

5.根据权利要求1-3任一项所述的MZ型光强度调制器总成，其特征在于：

所述光栅组件背向所述交换波导的一侧设置有胶粘层。

6.根据权利要求1-3任一项所述的MZ型光强度调制器总成，其特征在于：

所述芯片设置为铌酸锂芯片。

7.根据权利要求2或3所述的MZ型光强度调制器总成，其特征在于，还包括：

输入光纤，所述输入光纤贯穿所述封装盒，所述输入光纤的输出端与所述波导组件的输入直波导的输入端耦合连接。

8.根据权利要求2或3所述的MZ型光强度调制器总成，其特征在于，还包括：

输出光纤，所述输出光纤贯穿所述封装盒，所述输出光纤的输入端与所述输出直波导的输出端耦合连接。

9.根据权利要求8所述的MZ型光强度调制器总成，其特征在于，还包括：

光功率计，所述光功率计的输入端与所述输出光纤的输出端连接。

10.一种制备如权利要求1-9任一项所述的MZ型光强度调制器总成的方法，其特征在于，包括如下步骤：

在MZ型光强度调制器的输出直波导的至少一侧设置交换波导，使所述交换波导内嵌于MZ型光强度调制器的芯片表面；

在所述交换波导背向所述芯片的一侧表面固定连接光栅组件；

在所述光栅组件表面固定连接光电探测器；

将所述光电探测器的输出端与控制器的输入端通信连接，将所述控制器的输出端与MZ型光强度调制器的偏置电极的被控端通信连接。