[发明专利]相位对焦像素结构、图像传感器、电子设备及制备方法

权利要求书

1.一种相位对焦像素结构，其特征在于，所述像素结构包括：

基底，包括若干个像素区；

第一隔离区，位于所述像素区的外围以隔离相邻所述像素区；

第二隔离区，位于所述像素区内并延伸至所述基底中；

其中，所述第二隔离区包括离子掺杂隔离区，所述第一隔离区及所述第二隔离区将所述像素区划分为至少两个子像素区，以基于所述子像素区实现相位对焦。

2.根据权利要求1所述的相位对焦像素结构，其特征在于，所述第二隔离区还包括背面深沟槽隔离区，其中，所述背面深沟槽隔离区、所述离子掺杂隔离区及所述第一隔离区共同将所述像素区划分为至少两个所述子像素区。

3.根据权利要求2所述的相位对焦像素结构，其特征在于，所述背面深沟槽隔离区与所述离子掺杂隔离区具有交叠区域以形成交叠隔离区，所述交叠隔离区具有至少两个交叠隔离区端部，所述交叠隔离区端部均与所述第一隔离区相接触，以划分所述子像素区。

4.根据权利要求3所述的相位对焦像素结构，其特征在于，所述背面深沟槽隔离区形成于所述离子掺杂隔离区中，所述离子掺杂隔离区具有至少两个掺杂隔离区端部，所述背面深沟槽隔离区具有至少两个与所述掺杂隔离区端部对应的深沟槽隔离区端部，且所述掺杂隔离区端部及所述深沟槽隔离区端部均与所述第一隔离区相接触。

5.根据权利要求2所述的相位对焦像素结构，其特征在于，所述第二隔离区包括中心部，且所述背面深沟槽隔离区与所述离子掺杂隔离区部分重叠布置，其中，所述中心部的构成包括所述离子掺杂隔离区或所述离子掺杂隔离区与所述背面深沟槽隔离区的重叠区域。

6.根据权利要求5所述的相位对焦像素结构，其特征在于，所述离子掺杂隔离区具有至少两个掺杂隔离区端部，所述掺杂隔离区端部均与所述第一隔离区相接触，所述背面深沟槽隔离区具有至少两个深沟槽隔离区端部，其中，所述深沟槽隔离区端部中的至少一者与所述。第一隔离区之间具有间距，以得到由所述重叠区域构成的所述中心部。

7.根据权利要求6所述的相位对焦像素结构，其特征在于，各所述深沟槽隔离区端部均与所述第一隔离区之间具有间距，各所述深沟槽隔离区端部与所述第一隔离区之间的间距相同或不同；和/或，所述背面深沟槽隔离区尺寸介于所述离子掺杂隔离区尺寸的1/3-2/3之间。

8.根据权利要求5所述的相位对焦像素结构，其特征在于，所述离子掺杂隔离区具有至少两个掺杂隔离区端部，所述掺杂隔离区端部中的至少一者与所述第一隔离区之间具有间距，所述背面深沟槽隔离区对应包括至少两个背面深沟槽隔离部，其中，所述背面深沟槽隔离部的一端与所述第一隔离区相接触，另一端与对应的所述掺杂隔离区端部相接触或相交叠，以得到由所述离子掺杂隔离区构成的所述中心部。

9.根据权利要求8所述的相位对焦像素结构，其特征在于，各所述掺杂隔离区端部中均与所述第一隔离区之间具有间距，且各所述离子掺杂隔离区端部与所述第一隔离区之间的间距相同或不同；和/或，沿排布方向上，所述背面深沟槽隔离部的尺寸介于所述离子掺杂隔离区的尺寸的1/3-2/3之间；和/或，所述背面深沟槽隔离部与对应的所述离子掺杂端部相交叠的区域的尺寸介于0.3-0.5μm之间。

10.根据权利要求1-9中任意一项所述的相位对焦像素结构，其特征在于，所述第一隔离区包括外围离子掺杂区及外围深沟槽区，且所述外围深沟槽区位于所述外围离子掺杂区中。

11.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括包括如权利要求1-10中任意一项所述相位对焦像素结构。

12.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求11所述的图像传感器。