[发明专利]研磨片、其制造方法以及利用其的半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种研磨片，其特征在于，利用硅氧化膜晶圆来在以200cc/分钟的速度向研磨片上喷射煅烧二氧化铈浆料的过程中分别对25片假晶圆进行60秒钟的研磨，分别对2片监测晶圆进行60秒钟的研磨，之后在利用光学用表面粗糙度测定仪测定研磨后的上述研磨片时，在基于ISO25178-2标准的面积材料比曲线中满足下式5及式6：

[式5]

Spk/Svk＜1.2；

[式6]

0.1≤Spk/Sk≤1.1，

在上述式5及式6中，

上述Spk为减少的峰高，

上述Svk为减少的谷深，

上述Sk为芯部粗糙度深度。

2.根据权利要求1所述的研磨片，其特征在于，在对上述假晶圆进行研磨之前，通过执行10分钟至20分钟的研磨前工序，来对研磨片的研磨层进行修整处理。

3.根据权利要求1所述的研磨片，其特征在于，

上述研磨片满足选自下述条件中的一种以上：

上述Spk为2以上且10以下；

上述Svk为大于11且22以下；以及

上述Sk为5以上且40以下，

上述研磨片的研磨前及研磨后的Svk/Sk之差的绝对值为0.1至1.5，

上述研磨片的研磨前及研磨后的Spk/Sk之差的绝对值为0至0.6。

4.根据权利要求1所述的研磨片，其特征在于，研磨后的上述研磨片满足选自下式7至式10中的一个以上：

[式7]

0.2＜Svk/Sk≤2.5；

[式8]

0.3＜Spk/Svk+Svk/Sk≤3.6；

[式9]

0.3＜Spk/Sk+Svk/Sk≤3.6；

[式10]

0.45≤Spk/Sk+Svk/Sk+Spk/Svk≤4.7，

在上述式7至式10中，上述Spk、Svk以及Sk的含义与上述内容中的定义相同。

5.根据权利要求1所述的研磨片，其特征在于，满足选自下述特性中的至少一种特性：

上述研磨片具有平均直径为5μm至200μm的多个气孔；

上述研磨片对于氧化膜具有至的研磨率；

上述监测晶圆的表面残留物数量为100个以下；

上述监测晶圆的表面划痕数量为200个以下；以及

上述监测晶圆的振痕数量为5个以下。

6.一种研磨片，其特征在于，利用硅氧化膜晶圆来在以200cc/分钟的速度向研磨片上喷射煅烧二氧化铈浆料的过程中分别对25片假晶圆进行60秒钟的研磨，分别对2片监测晶圆进行60秒钟的研磨，之后在利用光学用表面粗糙度测定仪测定研磨后的上述研磨片时，在基于ISO25178-2标准的面积材料比曲线中满足下式11：

[式11]

0.5≤(Spk+Svk)/Sk≤3.5，

在上述式11中，

上述Spk为减少的峰高，

上述Svk为减少的谷深，

上述Sk为芯部粗糙度深度。

7.根据权利要求6所述的研磨片，其特征在于，在对上述假晶圆进行研磨之前，通过执行10分钟至20分钟的研磨前工序，来对研磨片的研磨层进行修整处理。

8.根据权利要求6所述的研磨片，其特征在于，

上述研磨片满足选自下述条件中的一种以上：

上述Spk为2以上且10以下；

上述Svk为大于11且22以下；

上述Sk为5以上且40以下；以及

上述Spk及上述Svk之和为大于13且32以下，

上述研磨片的研磨前及研磨后的Svk/Sk之差的绝对值为0.1至1.5，

上述研磨片的研磨前及研磨后的Spk/Sk之差的绝对值为0至0.6。