[发明专利]焊盘结构、半导体测试结构及半导体测试方法

权利要求书

1.一种焊盘结构，其特征在于，包括：

绝缘介质层，形成于一衬底上；

金属互连结构，形成于所述绝缘介质层中，所述金属互连结构包括相互绝缘的第一部分和第二部分；以及，

焊盘，形成于所述绝缘介质层的顶部，所述绝缘介质层至少暴露出所述焊盘的顶表面，所述焊盘与所述第一部分电连接，所述焊盘与所述第二部分绝缘。

2.如权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述第一部分和所述第二部分均包括多层金属层和多个导电插塞，多层所述金属层自下向上形成于所述绝缘介质层中，相邻层的所述金属层之间通过所述导电插塞电连接。

3.如权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述第一部分环绕形成于所述第二部分的外围。

4.如权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述第一部分为环形或长条形结构。

5.如权利要求2所述的焊盘结构，其特征在于，所述第一部分中的金属层的横截面积小于所述第二部分中的金属层的横截面积。

6.如权利要求1～5中任一项所述的焊盘结构，其特征在于，所述衬底包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层。

7.如权利要求6所述的焊盘结构，其特征在于，所述半导体层中形成有浅沟槽隔离结构。

8.如权利要求7所述的焊盘结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的底面与所述绝缘埋层接触，所述第一部分在所述半导体层上的垂直投影与所述浅沟槽隔离结构至少部分重叠，所述焊盘结构还包括通孔插塞，所述通孔插塞的一端与所述第一部分电连接，所述通孔插塞的另一端从所述绝缘介质层经所述浅沟槽隔离结构和所述绝缘埋层延伸至与所述下层衬底接触。

9.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：

衬底；

至少两个如权利要求1～8中任一项所述的焊盘结构，形成于所述衬底上；以及，

测试图案，形成于所述衬底上的绝缘介质层中，至少两个所述焊盘结构中的所述第一部分均与所述测试图案电连接，所述焊盘结构中的所述第二部分与所述测试图案绝缘。

10.一种半导体测试方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求9所述的半导体测试结构；

将测试机台上的卡针与所述半导体测试结构中的所述绝缘介质层暴露出的所述焊盘的顶表面接触，以向所述测试图案施加电压或电流。