[发明专利]用于处理器件的技术

权利要求书

1.一种形成微电子组件的方法，包括：

准备第一衬底的结合表面，包括基于第一气体、利用第一等离子体激活所述第一衬底的所述结合表面；

形成第二衬底的结合表面；

将所述第二衬底安装到切割层；

在所述第二衬底被安装到所述切割层的同时将所述第二衬底分割成多个管芯，所述多个管芯中的每个管芯具有包括所述第二衬底的所述结合表面的一部分的结合表面；

在所述多个管芯被安装到所述切割层的同时处理所述多个管芯，包括基于与所述第一气体不同的第二气体、利用第二等离子体清洁所述管芯的所述结合表面；

选择所述多个管芯中的管芯；以及

在没有粘合剂并且在所述管芯被安装到所述切割层的同时不激活所述管芯的所述结合表面的情况下，将所述管芯的所述结合表面直接结合到所述第一衬底的所述结合表面。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在分割所述第二衬底之前，将保护性涂层施加到所述第二衬底的所述结合表面。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括使用化学试剂、兆频超声波换能器和/或机械刷来清洁所述多个管芯或所述第一衬底的一个或多个表面。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述管芯由拾取和放置工具保持的同时处理所述管芯，所述处理包括所述管芯的所述结合表面的原位清洁。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括通过使所述管芯的所述结合表面与由疏水材料形成或涂覆有疏水材料的拾取和放置工具接触来拾取所述管芯。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一等离子体包括氮等离子体。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二等离子体包括氧等离子体。

8.一种形成微电子组件的方法，包括：

准备第一衬底的结合表面；

准备第二衬底的结合表面；

将所述第二衬底安装到切割层；

在所述第二衬底被安装到所述切割层的同时将所述第二衬底分割成多个管芯，所述多个管芯中的每个管芯具有包括所述第二衬底的所述结合表面的一部分的结合表面；

在所述多个管芯被安装到所述切割带的同时处理所述多个管芯；

选择所述多个管芯中的管芯并且从所述切割带移除所述管芯；

激活所述第一衬底的所述结合表面或所述管芯的所述结合表面中的一个；以及

在没有粘合剂并且在不激活所述第一衬底的所述结合表面或所述管芯的所述结合表面中的另一个的情况下，将所述管芯的所述结合表面直接结合到所述第一衬底的所述结合表面。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括利用氧等离子体清洁所述第一衬底的所述结合表面或所述管芯的所述结合表面中的另一个。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一衬底的所述结合表面或所述管芯的所述结合表面利用氮等离子体被激活。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述管芯的所述结合表面是所述管芯的第一结合表面，并且其中所述管芯包括与所述管芯的所述第一结合表面相对的第二结合表面，所述方法还包括：

利用氮等离子体激活所述管芯的所述第二结合表面、附加管芯的第一结合表面，或所述管芯的所述第二结合表面和所述附加管芯的所述第一结合表面；以及

在没有粘合剂的情况下，将所述附加管芯的所述第一结合表面直接结合到所述管芯的所述第二结合表面。