[发明专利]一种晶圆背面平整度改善的方法在审
| 申请号： | 202110685158.7 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113506720A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 陆尉;徐晓林;周维 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 背面 平整 改善 方法 | ||
1.一种晶圆背面平整度改善的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
步骤A、提供已制备完成第二侧壁的晶圆，所述晶圆的背面的多晶硅栅极薄膜层外侧生长有氮化硅薄膜层；
步骤B、在步骤A提供的所述晶圆的正面生长应力记忆氮化硅薄膜层；
步骤C、对经步骤B处理的所述晶圆进行第一次湿法刻蚀以去除所述应力记忆氮化硅薄膜层、所述氮化硅薄膜层；
步骤D、对经步骤C处理的所述晶圆的背面进行第二次湿法刻蚀以去除残留的所述氮化硅薄膜层。
2.如权利要求1所述的晶圆背面平整度改善的方法，其特征在于，步骤A中的所述第二侧壁包括侧壁氮化硅层，所述侧壁氮化硅层通过炉管工艺生长；
所述氮化硅薄膜层生长于炉管工艺过程中。
3.如权利要求2所述的晶圆背面平整度改善的方法，其特征在于，所述侧壁氮化硅层的厚度为所述氮化硅薄膜层的厚度为
4.如权利要求1所述的晶圆背面平整度改善的方法，其特征在于，所述应力记忆氮化硅薄膜采用化学气相沉积工艺制备。
5.如权利要求4所述的晶圆背面平整度改善的方法，其特征在于，所述应力记忆氮化硅薄膜的厚度为
6.如权利要求1所述的晶圆背面平整度改善的方法，其特征在于，所述第一次湿法刻蚀采用酸槽湿法刻蚀工艺。
7.如权利要求6所述的晶圆背面平整度改善的方法，其特征在于，所述酸槽湿法刻蚀工艺采用的刻蚀液为磷酸溶液，刻蚀时间为300s。
8.如权利要求1所述的晶圆背面平整度改善的方法，其特征在于，所述第二次湿法刻蚀采用晶背单片湿法刻蚀工艺。
9.如权利要求8所述的晶圆背面平整度改善的方法，其特征在于，所述晶背单片湿法刻蚀工艺采用的刻蚀液为氢氟酸，刻蚀时间为120s。
10.如权利要求1所述的晶圆背面平整度改善的方法，其特征在于，所述多晶硅栅极薄膜层的厚度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
