[发明专利]一种光学芯片在审

专利信息
申请号: 202110684973.1 申请日: 2021-06-21
公开(公告)号: CN113346351A 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 崔尧;王嘉星 申请(专利权)人: 深圳博升光电科技有限公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/00
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 郭栋梁
地址: 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 光学 芯片
【权利要求书】:

1.一种光学芯片,其特征在于,所述光学芯片包括背发射垂直腔面发射激光器,所述背发射垂直腔面发射激光器的衬底层用于形成光学元件,或者在所述衬底层上形成有所述光学元件对应的结构层。

2.根据权利要求1所述的光学芯片,其特征在于,所述光学元件包括球面透镜、非球面透镜、自由曲面透镜、菲涅尔透镜和二元透镜中的任意一种。

3.根据权利要求2所述的光学芯片,其特征在于,所述球面透镜包括凸透镜和凹透镜中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的光学芯片,其特征在于,所述衬底层的材料包括砷化镓、氮化镓、磷化铟和硅中的至少一种。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的光学芯片,其特征在于,所述背发射垂直腔面发射激光器包括依次层叠设置在所述衬底层下方的第一电极层、第一反射器层、发光层、第二反射器层和第二电极层。

6.根据权利要求5所述的光学芯片,其特征在于,所述发光层包括层叠设置的氧化层和有源层,所述氧化层包括至少一个用于出射激光的未氧化区域和环绕所述至少一个未氧化区域的氧化区域;

所述氧化层的位置与所述光学元件的位置相对应,或者所述未氧化区域的位置与所述光学元件的位置相对应。

7.根据权利要求6所述的光学芯片,其特征在于,在所述未氧化区域的位置与所述光学元件的位置相对应的情况下,所述衬底层中设置有至少一个用于走线的空隙,所述空隙的位置与所述氧化区域的位置相对应。

8.根据权利要求5所述的光学芯片,其特征在于,所述第一电极层为N型电极层,所述第二电极层为P型电极层,所述P型电极层与所述第二反射器层之间设置有P型电极接触层。

9.根据权利要求5所述的光学芯片,其特征在于,所述第一反射器层为N型反射器层,所述第二反射器层为P型反射器层。

10.根据权利要求9所述的光学芯片,其特征在于,所述第一反射器层和所述第二反射器层包括布拉格反射器层和高对比度光栅层中的至少一种。

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