[发明专利]基于星载ADS-B和AIS的全球电离层电子总含量测量方法在审
申请号: | 202110684739.9 | 申请日: | 2021-06-21 |
公开(公告)号: | CN113567758A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 陈利虎;罗坳柏;赵勇;陈小前;余孙全;李松亭;倪久顺 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科技大学 |
主分类号: | G01R29/08 | 分类号: | G01R29/08 |
代理公司: | 北京奥文知识产权代理事务所(普通合伙) 11534 | 代理人: | 张文 |
地址: | 410073 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 ads ais 全球 电离层 电子 含量 测量方法 | ||
1.一种基于星载ADS-B和AIS的全球电离层电子总含量测量方法,其特征在于,包括以下步骤:
在卫星上布置两个信号接收机,在两个所述信号接收机上分别安装能够接收ADS-B信号的第一线极化接收天线,和/或能够接收AIS信号的第二线极化接收天线,其中,两个所述信号接收机上安装的所述第一线极化接收天线相互垂直,两个所述信号接收机上安装的所述第二线极化接收天线相互垂直;
利用两个所述信号接收机接收ADS-B信号或AIS信号,计算两个所述信号接收机接收的同一个ADS-B信号或AIS信号的功率信息;
根据所述功率信息,计算接收信号的极化角;
确定接收信号发生法拉第旋转前的极化平面的法向量坐标和一个预先选定的信号接收机上安装的第一线极化接收天线或第二线极化接收天线的方向向量坐标,计算接收信号发生法拉第旋转前的极化平面与预先选定的信号接收机上安装的第一线极化接收天线或第二线极化接收天线的垂直面的夹角;
根据接收信号的极化角、以及接收信号发生法拉第旋转前的极化平面与预先选定的信号接收机上安装的第一线极化接收天线或第二线极化接收天线的垂直面的夹角,计算接收信号对应的法拉第旋转角;
根据所述法拉第旋转角,计算全球电离层电子总含量。
2.根据权利要求1所述的基于星载ADS-B和AIS的全球电离层电子总含量测量方法,其特征在于,每个所述信号接收机上均安装有一个所述第一线极化接收天线和一个所述第二线极化接收天线,且同一个所述信号接收机上的所述第一线极化接收天线和所述第二线极化接收天线的极化方向相同。
3.根据权利要求1或2所述的基于星载ADS-B和AIS的全球电离层电子总含量测量方法,其特征在于,根据所述功率信息,利用以下公式一计算接收信号的极化角;
其中,θ表示接收信号的极化角,A2表示预先选定的信号接收机的接收信号的功率值,DA表示A2对应的接收天线增益,ΔPA表示A2对应的功率误差,B2表示另一个信号接收机的接收信号的功率值,DB表示B2对应的接收天线增益,ΔPB表示B2对应的功率误差。
4.根据权利要求1所述的基于星载ADS-B和AIS的全球电离层电子总含量测量方法,其特征在于,当接收信号为ADS-B信号时,根据ADS-B信号的传播方向、以及飞机上发射天线的安装位置,确定接收信号发生法拉第旋转之前的极化平面的法向量坐标。
5.根据权利要求4所述的基于星载ADS-B和AIS的全球电离层电子总含量测量方法,其特征在于,当接收信号为AIS信号时,根据AIS信号的传播方向、以及船舶上发射天线的安装位置,确定接收信号发生法拉第旋转之前的极化平面的法向量坐标。
6.根据权利要求5所述的基于星载ADS-B和AIS的全球电离层电子总含量测量方法,其特征在于,根据卫星上的第一线极化接收天线或第二线极化接收天线的安装位置,确定预先选定的信号接收机上安装的第一线极化接收天线或第二线极化接收天线的方向向量坐标。
7.根据权利要求1或6所述的基于星载ADS-B和AIS的全球电离层电子总含量测量方法,其特征在于,利用以下公式二计算接收信号发生法拉第旋转前的极化平面与预先选定的信号接收机上安装的第一线极化接收天线或第二线极化接收天线的垂直面的夹角;
其中,Δα表示接收信号发生法拉第旋转前的极化平面与预先选定的信号接收机上安装的第一线极化接收天线或第二线极化接收天线的垂直面的夹角,表示接收信号发生法拉第旋转之前的极化平面的法向量坐标,表示预先选定的信号接收机上安装的第一线极化接收天线或第二线极化接收天线的方向向量坐标。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科技大学,未经中国人民解放军国防科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110684739.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。