[发明专利]双面太阳能电池制作工艺

权利要求书

1.一种双面太阳能电池制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1，制绒；S2，扩散；S3，SE激光开槽；S4，前氧化；S5，去PSG；S6，碱抛；S7，后氧化；S8，背面钝化；S9，背面氮化硅；S10，正面氮化硅；S11，背面PERC激光；S12，丝网印刷；S13，烧结；

其中，所述步骤S12包括：

S121，背面电极印刷：在硅片背面印刷银浆；

S122，烘干：对所述硅片进行烘干；

S123，背面铝栅线印刷：使用双面铝浆在所述硅片背面印刷铝栅线；

S124，烘干：对所述硅片进行烘干；

S125，正面电极印刷：在所述硅片正面印刷银浆。

2.根据权利要求1所述的双面太阳能电池制作工艺，其特征在于，在所述步骤S123中，所述双面铝浆中含铝量为50-70％。

3.根据权利要求1所述的双面太阳能电池制作工艺，其特征在于，在所述步骤S123中，所述铝栅线的宽度为80-150微米。

4.根据权利要求1所述的双面太阳能电池制作工艺，其特征在于，在所述步骤S125中，所述银浆中含银量为85-95％，印刷形成两条以上主栅线和网状细栅线。

5.根据权利要求4所述的双面太阳能电池制作工艺，其特征在于，所述主栅线的宽度为0.5-1.5毫米，所述细栅线的宽度为20-40微米。

6.根据权利要求1所述的双面太阳能电池制作工艺，其特征在于，所述步骤S6包括：

(1)前清洗：采用KOH和双氧水的混合溶液对所述硅片表面残留的有机物进行清洗；

(2)碱抛：在KOH和添加剂的混合溶液中使所述硅片进行反应；

(3)碱洗：在KOH和双氧水的混合溶液中对所述硅片进行清洗；

(4)酸洗：在HF和HCL的混合溶液中对所述硅片进行清洗；

(5)热水慢提拉：对纯水进行加热；

(6)热风烘干：采用加热空气方式对所述硅片进行烘干。

7.根据权利要求1所述的双面太阳能电池制作工艺，其特征在于，在所述步骤S8中，使用ALD设备在温度200-400℃的腔体内通入15-30ml/min三甲基铝和15-30ml/min H2O2，在射频电源的作用下，在所述硅片背面沉积三氧化二铝膜。

8.根据权利要求7所述的双面太阳能电池制作工艺，其特征在于，所述三氧化二铝膜的厚度为2-6纳米。

9.根据权利要求1所述的双面太阳能电池制作工艺，其特征在于，在所述步骤S9中，使用PECVD设备通入硅烷和氨气在所述硅片背面沉积形成氮化硅薄膜；在所述步骤S10中，使用PECVD设备通入硅烷和氨气在所述硅片正面沉积形成氮化硅薄膜。

10.根据权利要求9所述的双面太阳能电池制作工艺，其特征在于，背面氮化硅薄膜厚度为80-150纳米，正面氮化硅薄膜厚度为70-90纳米。