[发明专利]到受体衬底的选择性微型器件转移

权利要求书

1.一种将微型器件转移到系统衬底中的方法，所述方法包括：

将施体衬底中所选择的微型器件与所述系统衬底对准；

使用LASER减弱所述所选择的微型器件与所述施体衬底之间的力；

使用阴影掩模来选择性地阻挡来自未被选择的微型器件的所述LASER；以及

根据所述LASER的方向将所述阴影掩模与所述受体衬底或所述施体衬底对准。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述LASER激光部分地覆盖或完全地覆盖所述任一衬底。

3.如权利要求2所述的方法，其中在所述部分地覆盖的情况下，光栅扫描或步骤重复过程可以用于覆盖所述衬底上的整个目标区域。

4.如权利要求1所述的方法，其中为了进一步提高来自所述LASER的热量转移，将具有更高LASER吸收率的层添加到力调制元件中。

5.一种将微型器件从临时衬底转移到背板中的方法，所述方法包括：

使所述临时衬底中的LED的间距与所述背板中的LED的所述间距不同；

通过受体力将所述LED从所述临时衬底移动到所述背板，同时通过首先在所述临时衬底上沉积缓冲层来减小将所述微型LED固持在所述临时衬底中的力。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述缓冲层是聚酰亚胺层。

7.如权利要求5所述的方法，其中如果所述缓冲层不导电，则为了使能够在转移到所述临时衬底和所述系统衬底上之后测试所述器件，将在所述缓冲层之前或之后沉积和图案化电极。

8.如权利要求7所述的方法，其中如果在所述缓冲层之前沉积所述电极，则图案化所述缓冲层从而产生用于接触的开口。

9.一种在微型器器件阵列中转移所选择的微型器件的方法，每一微型器件都用施体力键合到施体衬底上，所述方法包括：

将所述施体衬底与受体衬底对准，使得所述所选择的微型器件中的每一者与所述受体衬底上的接触焊盘一致；

将所述施体衬底和所述受体衬底一起移动直到所述所选择的微型器件中的每一者与所述受体衬底上的对应接触焊盘相接触或相接近；以及

向所选择的微型器件施加推力以便将所述器件移向所述受体衬底。

10.如权利要求9所述的方法，其中在所述微型器件中，所述推力由从所述施体衬底施加到所述器件的静电力产生。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述推力通过将光源施加到沉积在所述所选择的微型器件与所述施体衬底之间的牺牲层而产生。

12.如权利要求11所述的方法，其中阴影掩模用于施加光源到所述所选择的微型器件以选择性地产生所述推力。

13.如权利要求9所述的方法，其中通过机械方法、加热方法、粘合方法或静电方法中的一者生成所述受体力。

14.如权利要求13所述的方法，其中通过在所述受体衬底上的着陆区域与所述微型器件之间施加选择性的静电力来调制所述受体力。

15.如权利要求14所述的方法，其中进行不同高度的微型器件的同时转移，且将所述施体衬底与受体称体对准，使得所选择的微型器件符合对应接触焊盘。

16.如权利要求15所述的方法，其中将所述施体衬底和所述受体衬底一起移动直到所述微型器件足够接近使静电受体力作用在微型器件和所述施体衬底上，其中所述施体和所述受体被进一步固持成使得没有微型器件与接触焊盘向接触或衬底在一些微型器件与接触焊盘相接触时停止靠近。