[发明专利]基于高结晶度掺杂压电薄膜的声波谐振器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于高结晶度掺杂压电薄膜的声波谐振器，其特征在于，包括：

衬底；

种子层，设置在所述衬底上，所述衬底与所述种子层形成布拉格反射结构；

掺杂层，设置在所述种子层上；

金属电极，设置在所述掺杂层上；

其中，所述种子层用于增加所述掺杂层与所述衬底之间的晶格匹配度，以及用于反射所述掺杂层发射的声波；

所述种子层包括多层，每层的材料包括以下之一：氮化铝、二氧化硅、氮化镓、碳化硅、氧化锌、铌酸锂、钽酸锂；

所述种子层包括多组叠层，每组叠层至少包括N层，N≥2；

不同组叠层包括相同的层数；

不同组叠层中的第i层材料相同，其中，1≤i≤N；

所述掺杂层上包括刻蚀区域和未刻蚀区域，所述刻蚀区域为凹槽；

所述金属电极设置在所述掺杂层的未刻蚀区域上；

其中，所述掺杂层和形成在所述未刻蚀区域上的所述金属电极，适用于激发出二维截面模态。

2.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述掺杂层为包含掺杂元素的压电材料；

所述掺杂层的刻蚀区域的深度为10～500nm；

所述掺杂层的刻蚀区域的深度与所述掺杂层的未刻蚀区域的厚度的归一化比值在0～1之间。

3.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述金属电极包括以下一种：铝、金、钼、铂、钨或由铝、金、钼、铂、钨中的至少两个组成的合金；

所述金属电极的厚度为10～2000nm。

4.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，还包括温度补偿层，所述温度补偿层设置在所述金属电极上。

5.一种如权利要求1～4中任一项所述的声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成种子层，其中，所述衬底与所述种子层形成布拉格反射结构；

在所述种子层上形成掺杂层；其中，所述种子层用于增加所述掺杂层与所述衬底之间的晶格匹配度，以及用于反射所述掺杂层发射的声波；

在所述掺杂层上形成金属电极。