[发明专利]一种制备Cr7

说明书

本发明公开了一种制备Cr₇Se₈单晶的方法，其特征在于，采用助熔剂法，以Ga为助熔剂，按Ga：Cr：Se摩尔比为98：2：2进行配料，于1100℃下保温一段时间，再以一定的速率冷却至730℃，制得Cr₇Se₈单晶。本发明解决了制备Cr₇Se₈单晶困难的问题。

技术领域

本发明涉及一种制备Cr₇Se₈单晶的合成方法，属于晶体材料制备领域。

背景技术

Cr₇Se₈是一种具有微磁性的二元合金，其具有NiAs型晶体结构。Cr-Se化合物包括Cr₂Se₃，Cr₃Se₄，Cr₅Se₆，Cr₇Se₈以及CrSe。已有文献表明Cr-Se化合物磁性与电性的耦合能够诱导丰富的磁电阻效应。但由于多数材料的单晶样品难以制备，众多研究均基于多晶样品。

发明内容

本发明的目的是提供一种制备Cr₇Se₈单晶的方法。

本发明的技术方案是：一种制备Cr₇Se₈单晶的方法，采用助熔剂法，以镓（Ga）为助熔剂，按镓（Ga）：铬（Cr）：硒（Se）摩尔比为98：2：2 进行配料，于1100 ℃下保温一段时间，再以一定的速率冷却至730 ℃，制得Cr₇Se₈单晶。

较佳的，以3℃/h的速率由1100 ℃冷却至730 ℃。

较佳的，于1100 ℃下保温一段时间，直至配料全部熔化。

较佳的，采用助熔剂法，将配料置于刚玉坩埚中，进行真空封管，于1100 ℃下保温一段时间，再以一定的速率冷却至730 ℃，去除助熔剂后，制得Cr₇Se₈单晶。

与现有技术相比，本发明的优点是:能够制备出Cr₇Se₈单晶而非多晶，解决了制备Cr₇Se₈单晶困难的问题。

附图说明

图1是实施例1制备的Cr₇Se₈单晶的图片。

图2是实施例1制备的Cr₇Se₈单晶的室温合金XRD衍射数据。

图3是实施例1制备的Cr₇Se₈单晶的热磁曲线。

图4是对比例1制备的Cr₇Se₈单晶的图片。

图5是对比例1制备的Cr₇Se₈单晶的室温合金XRD衍射数据。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行进一步阐述。

实施例1

本发明所述的Cr₇Se₈单晶制备步骤如下：

（1）按摩尔比为98：2：2配制Ga、Cr以及Se单质，并将配好的原料倒入圆柱型刚玉管坩埚中。刚玉坩埚的尺寸无特定要求，能放入后续步骤中提及的石英管中即可。Ga、Cr以及Se三者的总质量无特定要求，能全部装入刚玉坩埚即可。