[发明专利]具有周期圆柱结构调制的超低旁瓣基片集成波导缝隙天线阵

权利要求书

1.一种具有周期圆柱结构调制的超低旁瓣基片集成波导缝隙天线阵，其特征在于，由五根波导按垂直于波导长边方向紧密排列而成；每层波导分为上层辐射波（2）和下层馈电波导（3）；两层波导间通过长条形耦合缝隙（8）进行能量的耦合；每半根波导上开有n个的不同偏置距离、不同长度的辐射缝隙（4），该辐射缝隙（4）相对于每根波导的中线有一定偏置距离，但是每个缝隙的偏置都有不同，且长度也不同；每根长波导单元中间完全由金属化通孔（5）分开，左右两边成镜面对称，金属通孔（5）贯穿上、下两层波导；相邻的波导间由金属化通孔（5）隔开，每个金属通孔中分别固定有一个金属圆柱（1），形成三维周期性金属圆柱结构阵列。

2.根据权利要求1所述的超低旁瓣基片集成波导缝隙天线阵，其特征在于，在馈电波导耦合缝隙附近还加载有一个金属柱（7），其高度与馈电波导的厚度一样，用以调节阻抗带宽。

3.根据权利要求2所述的超低旁瓣基片集成波导缝隙天线阵，其特征在于，每半根波导上辐射缝隙（4）的数量n根据实际情况设计确定，n为8-30，优选n为10-18。

4.根据权利要求3所述的超低旁瓣基片集成波导缝隙天线阵，其特征在于，每根长波导上共有2n个耦合缝隙（8），每个缝隙的偏置和长度均通过波束赋形等计算方式迭代收敛得到。

5.根据权利要求4所述的超低旁瓣基片集成波导缝隙天线阵，其特征在于，所述金属圆柱的高度小于波长的0.25倍。

6.根据权利要求1-5之一所述的超低旁瓣基片集成波导缝隙天线阵，其特征在于，由同轴电缆探针6直接插入下方馈电波导中，以进行激励。