[发明专利]热处理设备及钕铁硼磁体的扩散方法

权利要求书

1.一种钕铁硼磁体的扩散方法，其特征在于，所述扩散方法在热处理设备中进行，包括以下步骤：

将清洗后的钕铁硼磁体和扩散源混合后于真空条件下，进行旋转加热，加热温度为600-750℃，保温1-5h；

停止旋转，将钕铁硼磁体与扩散源分离后，对钕铁硼磁体继续加热进行高温扩散处理，温度为800-950℃，保温1-20h。

2.如权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，所述热处理设备包括：

可旋转的炉体，其中，所述炉体包括加热室和低温室，所述加热室和低温室之间由一拦截网隔开，所述拦截网的网孔尺寸小于钕铁硼磁体；

以及升降部，所述升降部设于所述炉体的一端，通过所述升降部将所述炉体抬起，使得位于所述加热室内的除磁体之外的物料进入所述低温室，实现磁体与其他物料的分离。

3.如权利要求2所述的扩散方法，其特征在于，所述炉体的外周套设有加热体，用于对所述加热室进行加热。

4.如权利要求2所述的扩散方法，其特征在于，所述拦截网为钼网。

5.如权利要求2所述的扩散方法，其特征在于，所述炉体内的真空条件为气压小于1×10^-2Pa；所述炉体的旋转速度为1-20r/min。

6.如权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，所述扩散源为重稀土金属球，所述重稀土金属选自Dy或Tb。

7.如权利要求6所述的扩散方法，其特征在于，所述重稀土金属球的直径为0.5-5mm。

8.如权利要求6所述的扩散方法，其特征在于，所述钕铁硼磁体与所述重稀土金属球的质量比为1：0.5~5。

9.如权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，所述扩散源还包括助拌剂，所述助拌剂选自氧化锆、氮化硅、碳化硅、氮化硼中的至少一种，且为粒径不超过5mm的球状；所述钕铁硼磁体与所述助拌剂的质量比为1：0.1~3。

10.如权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，所述钕铁硼磁体在高温扩散处理后，还包括时效处理，所述时效处理具体为：将高温扩散处理后的钕铁硼磁体取出，于450-550℃保温3-5h。