[发明专利]一种基于HBT工艺的高三阶交调点中功率射频放大电路

权利要求书

1.一种基于HBT工艺的高三阶交调点中功率射频放大电路，其特征在于，包括：

放大电路，用于对输入的射频信号进行多级放大；

输入偏置网络，用于为所述放大电路提供直流偏置；

输出偏置网络，用于为所述放大电路提供电源，并将电源干扰信号与所述放大电路的输出信号进行隔离，同时为所述放大电路的输出信号提供输出阻抗匹配；

所述输入偏置网络与所述放大电路并联，所述放大电路的输入端接入射频信号，输出端与所述输出偏置网络的输入端连接；所述输出偏置网络的电源连接端与电源连接，所述输出偏置网络的输出端输出经过匹配放大的射频信号。

2.根据权利要求1所述的基于HBT工艺的高三阶交调点中功率射频放大电路，其特征在于，所述输入偏置网络包括：第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的一端与所述第二电阻的一端连接，且所述第一电阻与所述第二电阻的连接端作为所述输入偏置网络的输入端与所述放大电路的输入端连接；所述第一电阻的另一端作为所述输入偏置网络的输出端与所述放大电路的输出端连接；所述第二电阻的另一端接地。

3.根据权利要求1所述的基于HBT工艺的高三阶交调点中功率射频放大电路，其特征在于，所述输出偏置网络包括：第一电感和第二电感，所述第一电感的一端与所述第二电感的一端连接，且所述第一电感与所述第二电感的连接端作为所述输出偏置网络的输出端；所述第一电感的另一端作为所述输出偏置网络的输入端与所述放大电路的输出端连接；所述第二电感的另一端作为所述输出偏置网络的电源连接端。

4.根据权利要求1所述的基于HBT工艺的高三阶交调点中功率射频放大电路，其特征在于，所述放大电路包括多个放大单元，各所述放大单元的输入端相连接作为所述放大电路的输入端，各所述放大单元的输出端相连接作为所述放大电路的输出端。

5.根据权利要求4所述的基于HBT工艺的高三阶交调点中功率射频放大电路，其特征在于，所述放大单元包括输入级电路和多个输出级电路；所述输入级电路包括第一连接端、第二连接端和第三连接端；所述第一连接端作为所述放大单元的输入端；所述第二连接端分别与各输出级电路的输入端连接；所述第三连接端分别与各输出级电路的输出端连接，作为所述放大单元的输出端。

6.根据权利要求5所述的基于HBT工艺的高三阶交调点中功率射频放大电路，其特征在于，所述输入级电路包括：第一三极管和第三电阻，所述第一三极管的基极作为所述输入级电路的第一连接端；所述第一三极管的集电极所为所述输入级电路的第三连接端；所述第一三极管的发射极与所述第三电阻的一端连接作为所述输入级电路的第二连接端；所述第三电阻的另一端接地。

7.根据权利要求5所述的基于HBT工艺的高三阶交调点中功率射频放大电路，其特征在于，所述输出级电路包括：第二三极管和第四电阻；所述第二三极管基极作为所述输出级电路输入端与所述输入级电路的第二连接端连接；所述第二三极管的集电极作为所述输出级电路的输出端与所述输入级电路的第三连接端连接；所述第二三极管的发射极与所述第四电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端接地。

8.根据权利要求4所述的基于HBT工艺的高三阶交调点中功率射频放大电路，其特征在于，所述放大电路包括两个相同的放大单元，两个所述放大单元的输入端相互连接作为所述放大单元的输入端，输出端相互连接作为所述放大单元的输出端。

9.根据权利要求5所述的基于HBT工艺的高三阶交调点中功率射频放大电路，其特征在于，所述放大单元包括九个相同结构的输出级电路。

10.根据权利要求6或7所述的基于HBT工艺的高三阶交调点中功率射频放大电路，其特征在于，三极管采用相同型号三极管，包括：Si-BJT、SiGe-HBT、GaAs-HBT或InP-HBT。