[发明专利]半导体散热装置的控制方法、半导体散热装置及存储介质在审

专利信息
申请号: 202110676482.2 申请日: 2021-06-18
公开(公告)号: CN113407017A 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 张勇 申请(专利权)人: 北京市九州风神科技股份有限公司
主分类号: G06F1/20 分类号: G06F1/20;G06F11/30
代理公司: 北京兴智翔达知识产权代理有限公司 11768 代理人: 郭卫芹
地址: 100095 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 半导体 散热 装置 控制 方法 存储 介质
【说明书】:

发明公开了半导体散热装置的控制方法、半导体散热装置及存储介质,属于散热领域。该方法包括:预设输入占空比和输出占空比曲线,并获取露点温度;获取冷端温度,并将冷端温度与露点温度进行对比,如果冷端温度低于露点温度,则降低半导体制冷片PWM和风扇PWM,如果冷端温度高于露点温度,则获取输入占空比,通过输入占空比和输出占空比曲线关系,得到风扇PWM和半导体制冷片PWM。本发明解决了现有技术中半导体制冷片的冷端容易冷凝结露,风扇噪音大但散热性能不佳,以及风扇与半导体制冷片不能很好的协调工作,进而导致噪音大或者耗能的问题。

技术领域

本发明属于半导体散热领域,具体涉及一种应用于CPU散热的半导体散热装置的控制方法、半导体散热装置及存储介质。

背景技术

在信息社会里,人们对电脑的使用要求越来越高,随着CPU功耗的增加,导致温度不断提升,会产生大量的热,如果不将这些热量及时散发出去,引起电脑运行不稳定,轻则导致死机,重则可能将CPU烧毁。现有的主流散热解决方案是风冷散热和水冷散热,风冷散热器散热效果差,并且噪音较大,水冷散热器散热效果好,但是结构复杂,一旦出现漏液问题会损害CPU且当前两种方案的对CPU的解热能力已经达到一定的技术瓶颈,较难实现解热能力大幅提升,进而不能很好适应较高温度的CPU。

现有技术中也有利用半导体的热电效应,在常规散热器上添加半导体制冷片来增强散热性能,半导体散热装置的半导体制的冷端紧贴发热源,对于热源进行解热。

现有的半导体散热装置的半导体制冷片的冷端紧贴发热源,当半导体制冷片运作时会将冷端温度降至露点温度以下而析出水珠,且水珠易滴落于发热源或发热源附近的元器件而造成电路板的短路,因此难以在CPU或者GPU等发热电子元器件应用。

并且在现有技术中,风扇和半导体制冷片不能根据发热功率自定义风扇转速和半导体制冷片制冷功率来兼顾高散热性能与低噪音或者其他个性化的需求。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的是提供一种半导体散热装置的控制方法、半导体散热装置及存储介质,其解决了现有技术中半导体制冷片的冷端容易冷凝结露,风扇噪音大但散热性能不佳,以及风扇与半导体制冷片不能很好的协调工作,进而导致噪音大或者耗能的问题。

为了实现上述目的,本发明提供的一种半导体散热装置的控制方法,包括以下步骤:

预设输入占空比和输出占空比曲线,并获取露点温度;

获取冷端温度,并将冷端温度与露点温度进行对比,如果冷端温度低于露点温度,则降低半导体制冷片PWM和风扇PWM,如果冷端温度高于露点温度,则获取输入占空比,通过输入占空比和输出占空比曲线关系,得到风扇PWM和半导体制冷片PWM。

进一步地,输入占空比为采集到的风扇PWM,输出占空比包括风扇PWM和半导体制冷片PWM。

进一步地,输入占空比和输出占空比曲线包括采集到的风扇PWM-风扇PWM曲线和采集到的风扇PWM-半导体制冷片PWM曲线。

进一步地,包括三种工作模式:模式一、模式二和模式三;

所述模式一下的半导体制冷片PWM和风扇PWM低于所述模式二下的半导体制冷片PWM和风扇PWM;所述模式二下的半导体制冷片PWM和风扇PWM低于所述模式三下的半导体制冷片PWM和风扇PWM。

进一步地,所述模式三下的风扇PWM和半导体制冷片PWM均为100%。

进一步地,输入占空比和输出占空比曲线包括模式一下的输入占空比和输出占空比曲线和模式二下的输入占空比和输出占空比曲线。

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