[发明专利]一种双层结构的晶圆温度场重建装置有效
申请号: | 202110675598.4 | 申请日: | 2021-06-18 |
公开(公告)号: | CN113506760B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 王超;姜晶;牛夷;贾镜材;陈梦朝;钟业奎;喻培丰;张泽展 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 陈一鑫 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双层 结构 温度场 重建 装置 | ||
1.一种双层结构的晶圆温度场重建装置,该装置包括:温度测量装置、数据收发装置、数据处理装置,所述温度测量装置包括:下层晶圆、中间电路层、上层晶圆;所述中间电路层包括:PCB板,温度传感器、薄膜电池、PCB板上的电路;所述下层晶圆中心位置刻蚀有用于放置薄膜电池的凹槽,薄膜电池和下层晶圆之间设置有绝热材料;上层晶圆中心位置刻蚀有用于放置PCB板上的电路的通孔,该通孔的侧壁附着有绝热材料;所述下层晶圆和上层晶圆围绕中心位置设有放置温度传感器的凹槽;温度传感器的数据线为沉积在下层晶圆和上层晶圆表面的导线,这些导线与PCB板上的焊接点连接,PCB板位于上层晶圆和下层晶圆之间的中心位置,上层晶圆和下层晶圆中心位置周围通过耐高温胶粘接,同时固定上层晶圆和下层晶圆的温度传感器;薄膜电池连接PCB板,PCB板上还封装有电极,该电极从上层晶圆的中心通孔中伸出;额外设置有一个可拆卸的硅盖,用于实际工况中保护电极;
所述数据收发装置包括底座和上盖板,所述底座上设置有放置晶圆的晶圆凹槽,该凹槽底部中心位置设置有连接电极的电极凹槽,电极凹槽内部设置有接触电极,接触电极位置与温度测量装置电极位置对应;所述上盖板上设置有与底座凹槽配合的凸起,用于压紧放置于晶圆凹槽中的晶圆;所述数据收发装置通过接触电极实现温度测量装置的充放电和数据交换;
所述数据处理装置从数据收发装置处接收数据,用于重建晶圆温度场。
2.如权利要求1所述的一种双层结构的晶圆温度场重建装置,其特征在于,所述下层晶圆和上层晶圆上对应设置两圈温度传感器凹槽,每圈8个,每圈相邻的温度传感器凹槽间隔45度,且内圈温度传感器凹槽、与该内圈温度传感器凹槽相邻的外圈温度传感器凹槽、晶圆圆心,三者位于同一直线上。
3.如权利要求1所述的一种双层结构的晶圆温度场重建装置,其特征在于,所述数据收发装置中底座的电极凹槽内设置有数据连接模块,该数据连接模块包括:控制电路、接触电极、弹簧、绝缘支架、外壳,所述绝缘支架为方形的碗状,倒扣于控制电路上,绝缘支架顶部贯穿设置有多个杆状接触电极,接触电极中部设置有弹簧阻挡片,顶部设置有触片;控制电路、弹簧、绝缘支架都位于外壳内部,接触电极从顶部穿过外壳和绝缘支架,触片位于外壳外,弹簧阻挡片位于外壳和绝缘支架之间;当电极接触触片时,弹簧压缩,使接触更加可靠;接触电极位于绝缘支架内的顶端并通过导线连接控制电路。
4.如权利要求1所述的一种双层结构的晶圆温度场重建装置,其特征在于,下层晶圆和上层晶圆上开设的温度传感器凹槽深度为0.2mm,温度传感器凹槽距离所在晶圆另一侧的厚度为0.4mm;所述连接温度传感器和PCB板的导线宽度不超过0.7mm,厚度为0.05mm;下层晶圆中心的用于放置薄膜电池的凹槽底部距离晶圆另外一侧的厚度为0.1mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造