[发明专利]一种精准湿法刻蚀、清洗晶圆边缘的半导体装置及方法

权利要求书

1.一种精准湿法刻蚀、清洗晶圆边缘的半导体装置，其特征在于，包括：

晶圆旋转装置，所述晶圆旋转装置被配置为使得晶圆旋转；

通气管道，所述通气管道被配置为运送保护气体至所述双相喷嘴；

通液管道，所述通液管道被配置为运送刻蚀/清洗液体至所述双相喷嘴；以及

双相喷嘴，所述双相喷嘴设置于晶圆上方，并且所述双向喷嘴包括：

通液道，所述通液道与通液管道连接，并且所述通液道被配置为喷出刻蚀/清洗液体以形成雾化液滴；以及

通气道，所述通气道与通气管道连接，并且所述通气道被配置为喷出保护气体以在晶圆上方靠近晶圆内部区域形成气障，所述气障限制所述液流的喷射角度和/或撒落距离。

2.根据权利要求1所述的精准湿法刻蚀、清洗晶圆边缘的装置，其特征在于：通过控制所述保护气体的流量与速率以控制所述雾化液滴喷撒至晶圆边缘的具体位置。

3.根据权利要求1和2之一所述的精准湿法刻蚀、清洗晶圆边缘的装置，其特征在于，所述保护气体包括氮气，或者压缩空气CDA。

4.根据权利要求1所述的精准湿法刻蚀、清洗晶圆边缘的装置，其特征在于还包括：

腔室，所述腔室包括所述晶圆旋转装置以及所述双相喷嘴；

腔室盖板，所述腔室盖板布置于所述腔室上方，并且所述腔室盖板构造有所述通气管道和通液管道穿过的通孔；以及

密封圈，所述密封圈布置于所述腔室的侧壁上方与所述腔室盖板的连接处。

5.根据权利要求4所述的精准湿法刻蚀、清洗晶圆边缘的装置，其特征在于：所述腔室的底部构造成倾斜结构，所述腔室底部的低处设置有废液排放管道，所述废液排放管道上布置有过滤装置。

6.根据权利要求4所述的精准湿法刻蚀晶圆边缘的装置，其特征在于，所述腔室盖板上均匀设置有通气孔，所述通气孔为倾斜角度大于45度的斜通孔，并且所述通气孔的直径为0.3-0.6mm。

7.根据权利要求6所述的精准湿法刻蚀、清洗晶圆边缘的装置，其特征在于，所述腔室盖板的材料包括铝合金或者特氟龙有机材料。

8.根据权利要求1所述的精准湿法刻蚀、清洗晶圆边缘的装置，其特征在于，包括一个\多个双相喷嘴。

9.根据权利要求1所述的精准湿法刻蚀、清洗晶圆边缘的装置，其特征在于，所述双相喷嘴中的所述通气道设置在靠近晶圆中心一侧。

10.一种利用权利要求1-9所述湿法刻蚀、清洗晶圆边缘的装置可精准刻蚀、清洗晶圆边缘的方法，其特征在于，包括下列步骤：

将晶圆放置在所述腔室内；

通过所述晶圆旋转装置使晶圆旋转；

通过所述双相喷嘴控制所述保护气体的流量与速率以控制刻蚀/清洗液滴喷撒至晶圆边缘的具体位置；

通过晶圆旋转以刻蚀/清洗晶圆的整个边缘；以及

通过所述过滤装置以及废液排放管道回收晶圆边缘处流下的废水、废液。