[发明专利]一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基及人工扩繁方法在审
| 申请号： | 202110674151.5 | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN113273494A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 赵东平;杨倩;王丽红;王丹 | 申请（专利权）人： | 内蒙古大学 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 北京力量专利代理事务所(特殊普通合伙) 11504 | 代理人： | 毛婷 |
| 地址： | 010021 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 卷叶墙藓 人工 扩繁用 培养基 方法 | ||
1.一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基，其特征在于，所述培养基以Beneck培养基为基础培养基，以蔗糖为碳源，添加植物激素0.5-2.5mg/L、琼脂8-10g/L制成；所述植物激素为IBA和/或2，4-D。
2.如权利要求1所述的培养基，其特征在于，所述培养基中蔗糖浓度为15g/L。
3.如权利要求1所述的培养基，其特征在于，所述培养基中琼脂的浓度为8g/L。
4.如权利要求1所述的培养基，其特征在于，所述植物激素为IBA，所述培养基中IBA浓度为0.5-1.0mg/L。
5.如权利要求1所述的培养基，其特征在于，所述植物激素为2，4-D，所述培养基中2，4-D的浓度为0.5-1.5mg/L。
6.如权利要求1-5任一所述的培养基在卷叶墙藓的人工扩繁培养中的应用。
7.一种卷叶墙藓的人工扩繁方法，其特征在于，所述方法为：对卷叶墙藓配子体进行消毒；将消毒后的卷叶墙藓配子体在权利要求1-5任一项所述的培养基上进行培养。
8.如权利要求7所述的一种卷叶墙藓的人工扩繁方法，其特征在于，所述对卷叶墙藓配子体进行消毒的方法包括：以浓度为0.05-0.1％m/v的HgCl2对卷叶墙藓配子体表面进行消毒，消毒时间为30-180s。
9.如权利要求8所述的一种卷叶墙藓的人工扩繁方法，其特征在于，所述HgCl2的浓度为0.1％m/v，所述消毒时间为60s。
10.如权利要求7所述的一种卷叶墙藓的人工扩繁方法，其特征在于，培养条件为：温度为24℃；每天连续光照处理16h后连续黑暗放置8h。
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