[发明专利]半导体封装件及其形成方法

说明书

本发明提供了一种形成半导体封装件的方法，包括：提供中介层，中介层上设置有复数个电子元件；在中介层的上表面上进行第一次模制，以形成包覆复数个电子元件的第一模制化合物；在中介层的下表面上设置复数个第一焊球；在中介层的下表面上进行第二次模制，以形成与中介层的下表面接触的第二模制化合物。本发明的目的在于提供一种半导体封装件及其形成方法，以优化半导体封装件的性能。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体封装件及其形成方法。

背景技术

随着人工智能(AI)、物联网(IoT)和第5代移动通信技术(5G)高速运算的发展，需要使用异质整合方式将两种以上不同功能的芯片整合在一起，2.5维集成芯片(2.5D IC)封装是可整合更高性能的芯片并且保持小体积、低功耗的立体堆叠的方案，其中2.5D IC封装是将不同功能的芯片并排设置在中介层上，先经由微凸块通过中介层内的金属线连结，再以贯穿衬底通孔(TSV)连接下方的焊球，最后在设置于载体上。

发明内容

针对相关技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种半导体封装件及其形成方法，以优化半导体封装件的性能。

为实现上述目的，本发明提供了一种形成半导体封装件的方法，包括：提供中介层，中介层上设置有复数个电子元件；在中介层的上表面上进行第一次模制，以形成包覆复数个电子元件的第一模制化合物；在中介层的下表面上设置复数个第一焊球；在中介层的下表面上进行第二次模制，以形成与中介层的下表面接触的第二模制化合物。

在一些实施例中，在进行第二次模制后，第二模制化合物包覆复数个第一焊球；执行平坦化工艺以去除第二模制化合物的部分和第一焊球的部分；在第一焊球的剩余部分上设置助溶剂；回流第一焊球的剩余部分以形成第二焊球。

在一些实施例中，第二焊球与第二模制化合物之间具有第一气隙。

在一些实施例中，在进行第二次模制后，第二模制化合物包覆复数个第一焊球；执行平坦化工艺以去除第二模制化合物的部分和第一焊球的部分；在第一焊球的剩余部分上设置焊料；回流焊料，使得焊料与第一焊球的剩余部分一起形成第三焊球。

在一些实施例中，第三焊球的部分周壁贴合第二模制化合物。

在一些实施例中，在设置复数个第一焊球之后，设置包覆复数个第一焊球的下部的释放层；在释放层和中介层之间填充第二模制化合物；去除释放层，以暴露复数个第一焊球的下部。

在一些实施例中，在将释放层包覆复数个第一焊球的下部之前，将释放层设置在铸模槽上，在填充第二模制化合物后，将铸模槽和释放层一同移除。

在一些实施例中，中介层的材料包括硅。

在一些实施例中，在完成第二次模制之后，对第一模制化合物、中介层和第二模制化合物进行切割，以得到单片化的半导体封装件。

在一些实施例中，复数个电子元件并排设置在中介层上，在切割后，半导体封装件包括两个或两个以上的电子元件。

本申请的实施例提供一种半导体封装件，其特征在于，包括：中介层；复数个电子元件，位于中介层的上表面上；第一模制化合物，包覆复数个电子元件；多个焊球，位于中介层的下表面上；第二模制化合物，接触中介层的下表面并且围绕焊球，焊球相比于第二模制化合物暴露。

在一些实施例中，焊球和第二模制化合物之间具有第一气隙。

在一些实施例中，焊球的最大高度大于焊球的最大宽度。

在一些实施例中，第一模制化合物的侧壁、中介层的侧壁以及第二模制化合物的侧壁共面。

在一些实施例中，焊球的上部和第二模制化合物接触。

在一些实施例中，焊球的最大高度小于焊球的最大宽度。